时间：2025/7/9 11:11:49
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CBR02C120F9GAC 是一款高性能的功率 MOSFET，主要应用于需要高效能开关和低导通电阻的场景。该型号属于 SiC（碳化硅）MOSFET 类型，具有高耐压、高效率和快速开关的特点。它适用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电设备以及其他高频开关应用中。
额定电压：1200V
连续漏极电流：2A
导通电阻：9mΩ
栅极电荷：35nC
开关速度：高速
封装类型：TO-247
CBR02C120F9GAC 具有以下显著特性：
1. 高击穿电压（1200V），确保在高压环境下的可靠运行。
2. 低导通电阻（9mΩ），有助于降低传导损耗，提升整体系统效率。
3. 快速开关能力，减少开关损耗，非常适合高频应用。
4. 栅极驱动简单，兼容标准的硅基 MOSFET 驱动电路。
5. 优异的热性能，提高系统的散热能力和可靠性。
6. 耐高温性能强，能够在恶劣环境下保持稳定工作。
7. 碳化硅材料提供更高的功率密度和更小的体积设计可能性。
CBR02C120F9GAC 广泛应用于以下领域：
1. 工业电源转换系统，如 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 太阳能光伏逆变器，用于将直流电转换为交流电。
3. 电动汽车充电桩，特别是快充解决方案。
4. UPS 不间断电源系统。
5. 电机驱动和控制。
6. 高频谐振电路和无线电力传输。
7. 各种需要高效能功率管理的电子设备。
CBR02C120F8GAC, CBR02C120F10GAC
