时间：2025/7/12 16:34:37
阅读：8
MA0201CG100G500 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频、高效率电源应用设计。该器件采用先进的 GaN 工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合于开关电源、DC-DC 转换器以及无线充电等应用场景。此外，其封装形式紧凑，能够有效节省 PCB 空间。
型号：MA0201CG100G500
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
最大漏源电压：600 V
最大连续漏极电流：10 A
导通电阻（典型值）：50 mΩ
栅极驱动电压范围：4 V 至 8 V
总栅极电荷（Qg）：30 nC
反向传输电容（Crss）：350 pF
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
MA0201CG100G500 具有以下显著特点：
1. 高效性能：得益于 GaN 技术，该器件拥有极低的导通电阻和开关损耗，能够实现更高的系统效率。
2. 快速开关能力：极低的栅极电荷和反向传输电容确保了更快的开关速度，从而支持更高频率的操作。
3. 高耐压能力：600V 的漏源电压使其适用于多种高压场景。
4. 小型封装：TO-252 封装在提供出色散热性能的同时，最大限度地减少了空间占用。
5. 可靠性：经过严格测试，确保在高温及高频环境下仍能保持稳定运行。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 无线充电设备
4. 太阳能逆变器
5. LED 驱动器
6. 消费类电子产品的快充适配器
7. 电动汽车充电桩
8. 工业控制中的高频转换电路
MPX0201DG100G500
GA0301HG100F500
