晶体管类型：NPN 和 PNP 组合
　　集电极-发射极电压（Vce）：100V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

LNZ9F6V8ST5G 晶体管阵列的一个主要特性是其集成了多个晶体管在一个紧凑的封装中，这大大减少了电路板空间的占用，同时降低了设计复杂性。该器件支持多种晶体管配置，例如共射极放大电路、开关电路以及逻辑门电路等。
　　此外，LNZ9F6V8ST5G 具有较高的工作电压和电流容量，适用于中低功率的电子设计。其宽广的工作温度范围使其能够在各种环境条件下可靠运行，包括工业级和汽车级应用。该器件的 SOT-23 封装形式便于表面贴装，提高了生产效率和可靠性。
　　由于其集成了 NPN 和 PNP 晶体管，LNZ9F6V8ST5G 可以方便地用于构建互补电路，例如推挽输出电路和差分放大器等。这种灵活性使其成为许多电子系统中的关键组件。

LNZ9F6V8ST5G 晶体管阵列广泛应用于多个领域，包括消费类电子产品、工业控制系统以及汽车电子模块。在消费类电子产品中，该器件常用于信号处理和驱动电路，例如音频放大器和逻辑控制电路。
　　在工业控制系统中，LNZ9F6V8ST5G 可用于构建逻辑门电路、开关电路以及传感器接口电路。由于其较高的可靠性和工作温度范围，它在恶劣工业环境中的表现尤为出色。
　　在汽车电子模块中，该晶体管阵列常用于车身控制模块、车灯驱动电路以及车载娱乐系统。它的高集成度和可靠性使其成为汽车电子设计中的首选组件。

FMMT617, MMBT3904, MMBT3906