时间：2025/3/25 10:12:53
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MA0201CG0R4D250 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率转换芯片，专为高频率、高效率的应用场景设计。该器件采用先进的封装技术，具备低导通电阻和快速开关特性，适用于电源适配器、快充设备以及工业电源等领域。
这款芯片集成了栅极驱动电路与保护功能，能够在高频工作条件下保持稳定性能，同时降低系统损耗，提升整体能效。
型号：MA0201CG0R4D250
类型：GaN 功率晶体管
最大漏源电压：650V
导通电阻：40mΩ
最大电流：8A
封装形式：TO-252
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
栅极电荷：35nC
反向恢复时间：10ns
1. 高效开关性能：得益于 GaN 材料的优异特性，该芯片可实现更快的开关速度和更低的开关损耗，从而支持高频应用。
2. 小型化设计：相比传统硅基 MOSFET，GaN 器件在相同功率等级下体积更小，有助于减. 内置保护功能：集成过流保护和热关断机制，确保芯片在异常情况下依然安全可靠。
4. 稳定性强：经过严格测试验证，在极端环境和长时间运行中表现出色。
5. 易于驱动：优化后的栅极驱动特性使其兼容现有主流驱动方案，简化了设计流程。
1. USB-PD 快速充电器：支持多协议快充，满足现代消费类电子产品的高功率需求。
2. 开关电源 (SMPS)：提高传统 AC-DC 转换器的效率并减少热量产生。
3. 无线充电发射端：提供更高频率的支持以实现更高效的能量传输。
4. 工业级电源：如 LED 驱动器、电机控制器等，要求高性能和高可靠性的场合。
5. 通信电源：为基站和其他通信基础设施提供稳定的供电解决方案。
MA0201CG0R6D250, MA0201CG0R4D300
