时间：2025/12/27 1:28:05
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MA-36AS10CC5是一款由M/A-COM（现为MACOM Technology Solutions）生产的高性能射频二极管，属于其砷化镓（GaAs）肖特基势垒二极管产品线的一部分。该器件专为高频、微波和毫米波应用设计，广泛应用于通信系统、雷达、测试测量设备以及宽带接收机中。MA-36AS10CC5采用表面贴装陶瓷封装（Ceramic Surface Mount Package），具有优异的热稳定性和高频响应能力，适合在严苛环境下长期运行。该二极管基于GaAs半导体工艺制造，具备低结电容、低串联电阻和高开关速度等优点，能够实现高效的信号检波、混频和调制解调功能。其结构优化减少了寄生效应，提升了在高频段的工作性能，尤其适用于X波段及以上频率的应用场景。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，便于现代自动化贴片生产流程集成。由于其出色的可靠性与一致性，MA-36AS10CC5被广泛用于军用和商用高频电子系统中，是高性能射频前端设计中的关键元件之一。
型号：MA-36AS10CC5
制造商：MACOM
器件类型：GaAs Schottky Barrier Diode
封装类型：Surface Mount Ceramic
工作频率范围：DC to 40 GHz
结电容（Cj）：典型值 0.15 pF @ 4 V
正向电压降（Vf）：典型值 325 mV @ 1 mA
反向击穿电压（Vbr）：最小值 7 V
串联电阻（Rs）：典型值 8 Ω
热阻（Rth）：约 300 °C/W
最大平均输入功率（检波模式）：+20 dBm
工作温度范围：-65 °C to +175 °C
存储温度范围：-65 °C to +200 °C
MA-36AS10CC5的核心特性源于其先进的GaAs肖特基势垒结构设计，使其在高频射频应用中表现出卓越的性能。首先，该二极管具有极低的结电容（典型值仅为0.15pF @ 4V），这显著降低了高频信号通过时的容抗影响，从而提高了器件在毫米波频段下的响应速度和效率。这一特性使得它非常适合用于40GHz以下的宽带混频器和检波器电路中，能够在保持高灵敏度的同时减少信号失真。其次，其低串联电阻（典型值8Ω）有效降低了导通损耗，提升了功率转换效率，尤其是在小信号处理场合下表现尤为突出。这种低Rs特性还增强了器件在高动态范围应用中的线性度，有助于提升系统的信噪比。
另一个重要特性是其优异的热稳定性与宽工作温度范围（-65°C至+175°C）。得益于陶瓷表面贴装封装的设计，MA-36AS10CC5具备良好的散热能力和机械强度，能够在极端环境条件下稳定运行，适用于航空航天、国防雷达和高温井下探测等严苛应用场景。此外，该器件的反向击穿电压不低于7V，在正常操作条件下具备足够的安全裕量，防止因瞬态过压导致损坏。
MA-36AS10CC5还具备快速开关响应能力，适用于高速调制和脉冲检测应用。其肖特基结构本身具有较低的载流子存储时间，避免了传统PN结二极管中存在的反向恢复问题，因此在高频开关电路中不会产生明显的反向恢复电流，从而减少了电磁干扰和功耗。同时，该器件支持无铅回流焊工艺，兼容现代SMT生产线，便于大规模集成到高频PCB模块中。整体而言，MA-36AS10CC5凭借其高频性能、可靠性与环境适应性，成为高端射频系统中不可或缺的关键组件。
MA-36AS10CC5广泛应用于高频和微波电子系统中，尤其适用于需要高灵敏度和宽带响应的射频前端设计。其主要应用场景包括但不限于：毫米波通信系统中的上变频与下变频混频器，用于5G回传、点对点无线链路和卫星通信设备中，利用其低结电容和低噪声特性实现高效频率转换；在雷达系统中作为接收通道的检波器或限幅器，用于目标回波信号的幅度检测与保护后级低噪声放大器免受强信号冲击；在测试与测量仪器如频谱分析仪、网络分析仪和信号发生器中，作为精密检波元件，提供稳定的RF/ microwave信号功率测量能力。
此外，该器件也常用于高速光通信接收机中的包络检测电路，配合光电二极管进行OOK（On-Off Keying）信号解调；在电子战（EW）和信号情报（SIGINT）系统中，用于宽频带信号监测与识别，依靠其宽频率响应范围和高可靠性执行复杂电磁环境下的信号捕获任务；也可作为本地振荡器（LO）路径中的开关或调制元件，实现快速启停控制。由于其工作温度范围极宽，MA-36AS10CC5还被用于航空航天、深空探测和高温工业传感等领域，在这些环境中要求元器件不仅具备高性能，还需拥有长期运行的稳定性与抗恶劣条件的能力。总之，无论是在民用通信还是军用系统中，MA-36AS10CC5都扮演着关键角色，支撑着现代高频电子技术的发展。
MA-36AS10CC5P
MA-36AS11CC5
HSCH-9141
HSMS-286x系列
