M8BCK 时间：2025/8/30 0:04:34 阅读：10

M8BCK是一款由STMicroelectronics生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高功率密度的应用而设计，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等领域。M8BCK采用了先进的工艺技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和良好的热稳定性。其封装形式通常为DPAK（TO-252）或DFN5x6等，适合表面贴装，便于在PCB上布局和散热管理。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：最大60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：连续最大16A（在25°C下）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为12.5mΩ（当Vgs=10V时）
　　功率耗散（Ptot）：最大50W（取决于封装和散热条件）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：DPAK（TO-252）、DFN5x6等可选

特性

M8BCK具备多项优异的电气和物理特性，使其在各种功率应用中表现出色。首先，它的低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。在Vgs=10V时，Rds(on)仅为12.5mΩ，非常适合用于高电流应用。其次，该MOSFET的耐压能力较强，最大漏源电压为60V，能够承受较高的电压应力，适用于多种中压电源转换场景。
　　此外，M8BCK支持高达16A的连续漏极电流（在25°C下），在高负载条件下仍能保持稳定工作。其栅极驱动电压范围较宽，支持标准逻辑电平（如5V或10V驱动），便于与控制器或驱动IC配合使用。该器件的开关速度快，具有较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），有助于减少开关损耗并提高响应速度。
　　热性能方面，M8BCK采用了优化的封装设计，具有良好的散热能力。例如在DPAK封装下，通过PCB上的铜箔散热区域可以有效降低工作温度，确保器件在高功率环境下长时间稳定运行。这使得它适用于需要持续高功率输出的应用，如电动工具、工业自动化设备和电源适配器等。
　　可靠性方面，M8BCK通过了严格的工业级测试，具有良好的抗静电能力和过温保护性能。它能够在恶劣的工作环境中保持稳定，适用于工业控制、汽车电子和消费类电子等多种领域。

应用

M8BCK广泛应用于各种需要高效功率控制的电路中。其典型应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路以及电源管理模块。由于其低导通电阻和高电流承载能力，特别适合用于高效率电源设计，如服务器电源、通信设备电源、LED驱动电源等。在汽车电子领域，M8BCK也可用于车载充电器、起停系统、风扇控制等应用。此外，在消费类电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑和智能电视中，M8BCK可用作电源开关或功率调节元件。