时间：2025/6/21 18:52:47
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MT18N221J500CT 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等领域。该芯片具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够在高频条件下实现高效的功率转换。其设计采用了先进的半导体制造工艺，以确保在高负载和高温环境下依然保持稳定的性能。
MT18N221J500CT 的封装形式为 TO-220，这种封装方式不仅提供了良好的散热性能，还便于集成到各种电路板中。
最大漏源电压：500V
最大连续漏极电流：16A
最大栅源电压：±20V
导通电阻：0.15Ω
总功耗：140W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 高耐压能力：500V 的漏源电压使得该芯片适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻：仅为 0.15Ω，减少了导通时的功率损耗，提升了整体效率。
3. 快速开关速度：能够支持高频开关应用，减少开关损耗。
4. 稳定性：即使在极端温度条件下（-55℃ 至 +150℃），也能保持良好的性能表现。
5. 散热优良：TO-220 封装设计，具备较强的散热能力，适合大功率应用环境。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 逆变器
4. 电机驱动
5. 工业自动化设备中的功率控制模块
6. LED 驱动电路
IRF840, K1007G, FDP18N50C
