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M80B79JB 发布时间 时间:2025/12/25 16:12:23 查看 阅读:30

M80B79JB 是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的高压、大电流达林顿晶体管阵列。该器件集成了多个达林顿对,适用于需要高电压和高电流驱动能力的应用场景。M80B79JB 采用多芯片封装技术,内部包含多个独立的达林顿晶体管,每个晶体管都具备高增益和低饱和电压的特性,能够有效驱动感性负载和阻性负载。该器件广泛应用于工业控制、继电器驱动、LED显示驱动、电机控制等领域。M80B79JB 的设计使其在高噪声环境下仍能保持稳定工作,具备良好的抗干扰能力。此外,该器件还内置了钳位二极管,用于保护晶体管免受反向电动势的损害,特别适用于驱动继电器、螺线管等感性负载。其封装形式为DIP-18(双列直插式封装),便于手工焊接和自动化装配,适合通孔安装工艺。由于其高可靠性和稳定性,M80B79JB 被广泛用于各种工业和消费类电子产品中。

参数

型号:M80B79JB
  制造商:STMicroelectronics
  封装类型:DIP-18
  晶体管配置:7个达林顿对
  最大集电极-发射极电压(Vceo):50V
  最大集电极电流(Ic):500mA(每通道)
  最大总功耗(Pd):750mW
  直流电流增益(hFE):1000(典型值)
  饱和电压(Vce(sat)):1.2V(最大值,Ic = 500mA)
  输入电阻:2.7kΩ(集成基极电阻)
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  反向电压额定值(VR):50V(带集成续流二极管)

特性

M80B79JB 的核心特性之一是其集成了七个独立的达林顿晶体管对,每个通道均可独立控制,适用于多路负载驱动应用。达林顿结构提供了极高的电流增益,使得即使在微弱的输入信号下也能驱动较大的负载电流,从而简化了驱动电路的设计。每个通道都内置了串联的限流电阻和续流二极管,无需外部额外添加元件即可直接连接逻辑电路并驱动感性负载,极大提高了系统的集成度和可靠性。
  该器件的最大集电极-发射极电压可达50V,允许其在较高电压系统中使用,例如24V或48V工业控制系统。每通道可承受最高500mA的连续集电极电流,且具有较低的饱和压降(典型值低于1.2V),有助于减少功率损耗和发热。其总功耗限制为750mW,在合理布局和散热条件下可稳定运行。
  M80B79JB 内部集成的续流二极管能够有效抑制感性负载断开时产生的反向电动势,防止高压击穿晶体管,显著提升了系统在频繁开关操作下的安全性和寿命。这一特性使其特别适用于继电器、步进电机、电磁阀等设备的驱动。
  该器件的工作温度范围宽达-40°C至+150°C,能够在恶劣的工业环境中长期稳定运行。DIP-18封装不仅便于手工调试与维修,也兼容自动插件机和波峰焊工艺,适合批量生产。此外,M80B79JB 具备良好的电气隔离性能和抗噪声干扰能力,能够在复杂电磁环境中保持稳定工作,是工业自动化、楼宇控制、通信设备中理想的驱动解决方案。

应用

M80B79JB 广泛应用于需要多路高电流驱动能力的电子控制系统中。其典型应用场景包括工业自动化设备中的继电器驱动模块,用于控制交流接触器、气动阀门、电机启停等执行机构。由于其内置续流二极管和高耐压特性,非常适合驱动各类电磁负载,如电磁锁、电磁泵、小型螺线管等,能有效避免反向感应电压对主控芯片造成损坏。
  在LED显示系统中,M80B79JB 可作为共阴极或共阳极LED点阵的行或列驱动器,支持多位数码管或多色LED的动态扫描显示,广泛应用于信息显示屏、仪表盘、广告灯箱等场合。其高电流输出能力和快速响应速度确保了显示亮度均匀且无拖影现象。
  此外,该器件也常用于打印机、绘图仪、POS终端等办公自动化设备中,驱动步进电机或直流电机的各个相位绕组,实现精确的位置控制。在智能家居系统中,可用于灯光调光、窗帘控制、安防报警装置的负载切换。
  由于其与TTL和CMOS逻辑电平兼容,M80B79JB 可直接连接微控制器(如STM32、Arduino、PIC等)的GPIO引脚,无需额外电平转换电路,降低了整体系统成本和设计复杂度。因此,它也被广泛应用于教育实验平台、嵌入式开发板和DIY电子项目中,作为通用型功率驱动模块的核心元件。

替代型号

ULN2803APG
  TD62083FG
  TPIC6B595N

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