晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功率耗散（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-23
　　电流增益（hFE）：110（最小值）@ IC=2mA, VCE=5V
　　过渡频率（fT）：100MHz

LBAS21HLT1G 晶体管具有多项优异的电气性能和可靠性。首先，它的集电极-发射极击穿电压为 50V，可以满足多种低压电路设计需求。其次，该晶体管的最大集电极电流为 100mA，适合用于中低功率的放大和开关应用。
　　其 SOT-23 小型封装形式不仅节省空间，而且便于在高密度 PCB 设计中使用。晶体管的电流增益 hFE 最小为 110，在不同的工作条件下仍能保持良好的放大性能，适用于多种模拟和数字电路。
　　此外，LBAS21HLT1G 的过渡频率 fT 达到 100MHz，这意味着它可以在较高的频率下保持良好的增益特性，适用于高频放大或开关应用。该器件的工作温度范围宽达 -55°C 至 150°C，具有良好的热稳定性和环境适应能力，适合用于汽车电子、工业控制等对温度要求较高的场合。
　　由于其高可靠性和通用性，LBAS21HLT1G 是许多电路设计中的首选晶体管之一，尤其是在需要稳定性能和小尺寸封装的应用中。

LBAS21HLT1G 主要用于以下几类电子电路中：
　　1. **开关电路**：该晶体管常用于数字电路中的开关应用，例如驱动 LED、继电器、MOSFET 栅极等，适用于低功耗、中速开关控制。
　　2. **信号放大电路**：由于其良好的电流增益和高频特性，LBAS21HLT1G 常用于音频放大、射频信号前置放大等模拟电路中。
　　3. **逻辑接口电路**：在数字系统中，该晶体管可用于电平转换、缓冲驱动等逻辑接口电路，确保信号的稳定传输。
　　4. **传感器电路**：在传感器信号调理电路中，LBAS21HLT1G 可作为信号放大器或开关，用于提高传感器输出信号的驱动能力。
　　5. **汽车电子**：由于其宽工作温度范围和高可靠性，该晶体管广泛应用于汽车控制系统，如车灯控制、电机驱动、传感器接口等。
　　6. **消费电子产品**：如智能手机、平板电脑、家用电器等设备中，用于各种小型电子模块的信号处理和控制。

BC847 NPN, 2N3904, PN2222A, MMBT3904