类型：CMOS SRAM
　　密度：256 Kbit
　　组织结构：64K x 4
　　电源电压：5V ±10%
　　访问时间：150ns / 200ns / 250ns（根据具体后缀型号）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：28-DIP, 28-SOIC
　　输入/输出逻辑电平：TTL 兼容
　　待机电流：最大 2mA（典型值低于 100μA）
　　运行电流：典型 35mA
　　数据保持电压：最小 2.0V
　　数据保持电流：典型 10μA

M61264的高性能特性使其成为多种工业和通信应用中的理想选择。首先，该芯片采用了全静态CMOS设计，这意味着其内部电路在没有时钟信号的情况下也能保持数据稳定，无需动态刷新机制，从而降低了系统设计的复杂性，并提高了整体可靠性。静态操作允许任意延长地址和控制信号的保持时间，只要电源持续供应，数据就不会丢失，这在低速或间歇性工作的系统中尤为有利。
　　其次，M61264具备快速的访问时间，典型值为150纳秒，最慢版本也仅为250纳秒，能够满足大多数中高速微处理器系统的实时数据存取需求。这种速度水平使得它可以有效地作为缓存或临时数据缓冲区，提升系统响应速度和处理效率。同时，其TTL兼容的输入输出电平简化了与现有数字逻辑电路的接口设计，无需额外的电平转换电路即可直接连接到常见的MCU或MPU总线上。
　　再者，低功耗是M61264的一大亮点。在正常工作模式下，其运行电流典型值为35mA，而在待机或低功耗模式下，电流可降至100μA以下，甚至在数据保持状态下仅需几微安。这对于便携式设备或远程监控系统这类依赖电池供电的应用至关重要，有助于延长设备的工作时间和维护周期。
　　此外，M61264具有出色的抗噪能力和环境适应性。其CMOS工艺结合优化的布局布线设计，有效提升了抗电磁干扰能力，确保在复杂电磁环境中仍能稳定运行。宽温工作范围（-40°C至+85°C）使其不仅适用于常温环境下的商业设备，还能胜任极端温度条件下的工业现场应用，如自动化控制系统、电力监控装置和轨道交通设备等。
　　最后，该器件支持三态输出控制，允许多个存储器或其他外设共享同一数据总线，通过片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE）信号实现精确的时序控制，避免总线冲突。这种灵活的控制机制增强了系统的可扩展性和模块化设计能力。

M61264广泛应用于多种对数据存取速度和可靠性要求较高的电子系统中。在工业自动化领域，它常被用于PLC（可编程逻辑控制器）、人机界面（HMI）设备和远程I/O模块中，作为程序暂存区或实时数据缓冲区，以支持高速采集和控制任务。在通信系统中，该芯片可用于路由器、交换机、基站控制器等设备的协议处理单元，用于缓存报文头信息或临时队列数据，提升数据转发效率。
　　在测试与测量仪器中，如示波器、频谱分析仪和数据记录仪，M61264可用于高速采样数据的临时存储，配合ADC和DSP协同工作，确保采集过程不丢帧。由于其非易失性虽不如Flash，但读写无延迟、无限次擦写的特点，非常适合频繁读写场景。
　　此外，在医疗设备、安防监控、POS终端和智能电表等嵌入式终端设备中，M61264也被用作主控MCU的外部扩展RAM，弥补片内存储资源不足的问题。特别是在一些老旧系统升级或国产化替代项目中，由于其引脚兼容性强、资料齐全、易于采购，仍然是工程师优先考虑的SRAM型号之一。
　　值得一提的是，虽然当前趋势是向更高密度、更低电压的存储器迁移，但由于M61264在长期供货、稳定性验证和供应链成熟度方面的优势，仍在军工、航空航天和铁路交通等高可靠性要求行业中保有一定市场份额。

CY7C1268KV18