类型：双路N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：12A（@VGS=10V）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大21mΩ（@VGS=10V）
　　导通电阻温度系数：正相关
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：8引脚SOIC
　　安装类型：表面贴装
　　功率耗散：2.5W
　　栅极电荷（Qg）：19nC（@VGS=10V）

DCM3623EA5N13B4T00 是一款高性能的双N沟道MOSFET，专为高效功率管理而设计。其主要特性之一是极低的导通电阻（RDS(on)），典型值为21mΩ，在VGS=10V条件下可实现极低的导通损耗，适用于需要高效率和低功耗的应用场景。此外，该器件采用Vishay先进的TrenchFET?技术，进一步优化了开关性能，降低了开关损耗。该MOSFET支持高达12A的连续漏极电流，适用于高负载应用，如DC-DC转换器、电源管理和电机控制。
　　该器件采用8引脚SOIC封装，具有良好的散热性能和紧凑的尺寸，适用于空间受限的电路板设计。其高集成度使得在双路配置中仅需一个封装即可实现两个MOSFET的功能，简化了电路设计并减少了元件数量。此外，该封装支持表面贴装安装，提高了生产效率和可靠性。
　　DCM3623EA5N13B4T00 的栅极驱动电压范围为±20V，允许在标准逻辑电压（如5V或10V）下工作，适用于多种驱动电路环境。其栅极电荷（Qg）为19nC，有助于减少开关损耗并提高系统效率。同时，该器件的工作温度范围宽，支持从-55°C至+150°C的工业级温度范围，确保在各种环境条件下稳定运行。
　　总体而言，DCM3623EA5N13B4T00 是一款适用于高效电源管理和功率转换应用的理想选择。其低导通电阻、高电流能力和紧凑的封装使其在便携式设备、服务器电源、电池管理系统和工业控制设备中表现出色。

DCM3623EA5N13B4T00 主要应用于需要高效功率控制和低导通损耗的电子系统中。典型应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电源管理模块、负载开关、电机驱动器、电池管理系统以及服务器和通信设备的电源模块。此外，该器件也适用于需要高可靠性和紧凑封装的工业控制和自动化设备。

Si3442DV-T1-GE3, FDMF68012, DCM3552LSD10, DCM3525LSD10