时间：2025/9/7 10:01:57
阅读：36
2SJ234STR 是一款由东芝（Toshiba）制造的 P 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和开关应用。该器件采用小型表面贴装封装（SOT-223），适用于需要高效率和紧凑设计的电子设备。
类型：P 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：-30V
最大栅源电压（Vgs）：+20V/-20V
最大连续漏极电流（Id）：-500mA
功率耗散：1W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
2SJ234STR 具备低导通电阻和快速开关特性，使其在低电压电源管理应用中表现出色。其高集成度和小型封装使得在空间受限的设计中非常有用。此外，该器件具有良好的热稳定性和可靠性，适用于多种消费类和工业类电子设备。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围宽，支持多种控制电路设计，同时具备较低的漏电流，有助于提高能效。封装形式 SOT-223 提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下依然稳定工作。
2SJ234STR 常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、便携式设备电源管理、低电压逆变器和其他需要高效电源转换的场合。由于其高可靠性和紧凑设计，也适用于自动化控制设备和小型家电。
2SJ103, 2SJ307
