FGW15N120HD 时间：2025/8/9 14:30:20 阅读：24

FGW15N120HD 是一款由富士电机（Fuji Electric）制造的高耐压、大电流 IGBT（绝缘栅双极晶体管）芯片，适用于高功率应用场合。该器件具备良好的导通压降与开关损耗平衡，广泛应用于工业电机控制、变频器、逆变器、UPS（不间断电源）系统以及新能源领域。

参数

类型：IGBT
　　集电极-发射极击穿电压（VCES）：1200V
　　额定集电极电流（IC）：15A
　　最大工作温度（Tj）：150℃
　　导通压降（VCEsat）：约2.1V（在IC=15A，Tj=25℃）
　　输入电容（Cies）：约1200pF
　　短路耐受能力：有
　　封装形式：TO-247
　　

特性

FGW15N120HD 具备优异的开关性能与导通特性，采用了先进的沟槽栅场截止（Trench Field Stop）技术，使得导通压降与开关损耗之间的平衡得到了优化。该器件具备较高的短路耐受能力，适合用于对可靠性和效率要求较高的功率转换系统。此外，其较高的击穿电压（1200V）使其在高电压应用场景中表现出色，同时具备良好的热稳定性和抗热疲劳能力。
　　这款 IGBT 在设计上考虑了电磁干扰（EMI）的抑制，通过优化内部结构和封装方式，降低了开关过程中的电压尖峰和振荡，从而提升了系统的稳定性与可靠性。此外，FGW15N120HD 的封装采用了环保材料，符合 RoHS 标准，适用于现代绿色电子产品设计。

应用

FGW15N120HD 主要应用于工业自动化控制设备、变频器、不间断电源（UPS）、焊接设备、感应加热装置、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等高功率电子系统中。该器件的高耐压和大电流能力使其成为中高功率逆变器和电机控制模块的理想选择。此外，在需要快速开关与高效能转换的电力电子设备中，如交流电机驱动器和电源转换模块，该 IGBT 也能发挥出色的性能。