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M5M51008BFP-55LL 发布时间 时间:2025/9/29 9:15:12 查看 阅读:4

M5M51008BFP-55LL是一款由富士通(Fujitsu)公司生产的静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件属于高速、低功耗的CMOS SRAM系列,广泛应用于需要快速数据存取和高可靠性的电子系统中。M5M51008BFP-55LL采用1 Mbit(128K x 8位)的组织结构,提供8位并行数据接口,适用于工业控制、通信设备、网络路由器、打印机、嵌入式系统以及其他对性能和稳定性有较高要求的应用场景。该芯片采用5.0V单电源供电,具有标准的TTL电平兼容性,便于与多种微处理器和逻辑电路直接接口。其封装形式为44引脚的SOP(Small Outline Package),有助于节省PCB空间并提高系统的集成度。此外,该器件支持商业级工作温度范围(通常为0°C至+70°C),确保在常规环境条件下稳定运行。作为一款成熟的SRAM产品,M5M51008BFP-55LL在停产前曾被广泛使用,目前多见于维修替换或库存产品应用中。由于富士通已逐步退出通用存储器市场,该型号现已属于停产状态,用户在设计新系统时需考虑替代方案或选用其他厂商的兼容产品。尽管如此,M5M51008BFP-55LL仍因其高可靠性、稳定的性能表现而在某些老旧设备维护中保持一定的市场需求。

参数

容量:1 Mbit
  组织结构:128K x 8位
  供电电压:5 V ± 10%
  访问时间:55 ns
  工作温度:0°C 至 +70°C
  封装类型:44-pin SOP
  接口类型:并行
  输入/输出电平:TTL 兼容
  待机电流:≤ 2 mA
  工作电流:≤ 55 mA
  读写操作模式:异步
  数据保持电压:≥ 2 V
  地址建立时间:≥ 35 ns
  地址保持时间:≥ 0 ns
  片选信号有效时间:≥ 35 ns
  写使能脉冲宽度:≥ 35 ns

特性

M5M51008BFP-55LL具备多项关键特性,使其在高速数据存储应用中表现出色。首先,该器件采用了高性能的CMOS工艺制造,兼顾了高速运行与低功耗特性,在保证55纳秒访问速度的同时,将工作电流控制在55mA以内,显著降低了系统整体功耗,适合长时间连续运行的工业与通信设备。其次,其异步SRAM架构无需时钟同步,简化了与微控制器、DSP或其他逻辑器件的接口设计,提高了系统设计的灵活性。
  该芯片支持全静态操作,即无需刷新周期即可保持数据稳定,这不仅提升了数据可靠性,也减少了因刷新导致的性能延迟。所有输入端均具备滞后功能的施密特触发器设计,增强了抗噪声能力,使其在电磁干扰较强的工业环境中仍能稳定工作。此外,器件内部集成了自动省电机制,当处于非活动状态时,可通过片选(CE)信号进入低功耗待机模式,待机电流低于2mA,进一步优化能效。
  在可靠性方面,M5M51008BFP-55LL经过严格的质量控制和老化测试,具备高耐久性和长期数据保持能力。其封装采用符合行业标准的44引脚SOP形式,便于自动化贴装和返修,同时提供了良好的散热性能和机械稳定性。所有引脚均采用防静电保护设计,避免在生产和使用过程中因ESD造成损坏。虽然该型号目前已停产,但其技术指标和电气特性仍符合现代中低端嵌入式系统的部分需求,因此常被用于设备维修、备件替换或小批量生产项目中。

应用

M5M51008BFP-55LL主要应用于需要高速、稳定、非易失性缓存的电子系统中,尤其适合作为微处理器或DSP的外部数据缓存。在工业自动化领域,该芯片常用于PLC控制器、人机界面(HMI)和数据采集模块中,用于临时存储实时运行数据和程序变量。在通信基础设施中,如网络交换机、路由器和基站设备,该SRAM可用于帧缓冲、队列管理和协议处理等任务,保障数据包的快速转发与处理。
  此外,该器件也广泛应用于办公设备,如激光打印机、多功能一体机和传真机,用于存储打印队列、图像数据和字体缓存,提升设备响应速度和输出效率。在医疗电子设备中,如监护仪、超声成像系统和便携式诊断仪器,M5M51008BFP-55LL可作为中间缓存单元,确保关键生命体征数据的实时采集与传输。
  由于其TTL电平兼容性和简单的并行接口,该芯片也常被用于教育实验平台和嵌入式开发板中,作为学习存储器原理和总线时序的教学工具。尽管当前主流设计已转向更高速或更低功耗的存储技术,但在维护和升级老旧设备时,M5M51008BFP-55LL仍是重要的替换元件之一。

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