型号：M5M4V18165CTP
　　制造商：Renesas Electronics
　　存储类型：Mobile SDRAM
　　存储容量：256 Mbit
　　存储结构：16M x 16
　　工作电压：1.7V ~ 1.95V
　　典型电压：1.8V
　　接口类型：CMOS
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：90
　　数据总线宽度：16位
　　时钟频率：最高133 MHz
　　访问时间：约7.5 ns
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装尺寸：8mm x 13mm x 1.0mm
　　工艺技术：CMOS
　　刷新模式：自动刷新，自刷新
　　突发长度：支持1, 2, 4, 8
　　内部银行数量：4 banks

M5M4V18165CTP具备多项先进特性，使其在移动存储领域具有显著优势。首先，其低电压操作能力是核心亮点之一。该芯片设计用于1.8V供电系统，允许在1.7V至1.95V范围内稳定运行，相较于传统的3.3V或2.5V SDRAM，显著降低了动态功耗和I/O驱动损耗。这种低电压特性不仅有助于减少整体系统功耗，还能降低热生成，提升设备的可靠性和用户体验。
　　其次，该器件集成了多种节能模式。除了标准的自动刷新外，还支持自刷新（Self-Refresh）模式。在此模式下，外部控制器可关闭时钟信号，而芯片内部的计时电路会自动执行刷新操作，确保数据不丢失，同时将电流消耗降至最低。这一功能对于移动设备在待机或休眠状态下的电池续航至关重要。此外，温度补偿自刷新（TCSR）功能可根据检测到的环境温度智能调节刷新周期——在低温环境下延长刷新间隔，从而进一步减少不必要的刷新电流，实现更高效的能耗管理。
　　在性能方面，M5M4V18165CTP支持最高133MHz的时钟频率，提供高达266MB/s的数据传输速率（双倍数据率未启用情况下）。其4个内部存储体（Banks）支持交错访问，有效提升了连续数据读写的吞吐效率。突发长度可编程设置为1、2、4或8，适应不同应用场景下的数据传输需求。器件还具备可编程CAS延迟（CL）和突发模式控制，增强了系统设计的灵活性。
　　封装方面，该芯片采用90引脚细间距球栅阵列（FBGA）封装，尺寸紧凑（8mm x 13mm x 1.0mm），非常适合空间受限的便携式电子产品。FBGA封装不仅提供了良好的电气性能和散热能力，还便于高密度PCB布局和自动化贴装工艺。此外，器件符合工业级温度范围（-40°C至+85°C），可在各种恶劣环境下稳定运行，适用于车载信息娱乐系统、工业手持终端等严苛应用场合。

M5M4V18165CTP广泛应用于对功耗、体积和性能有综合要求的便携式电子设备中。其主要应用场景包括智能手机和平板电脑，作为应用程序处理器的辅助内存或图形缓冲区，用于临时存储操作系统代码、用户界面数据和多媒体内容。由于其快速响应和低延迟特性，该芯片特别适合处理实时性要求较高的任务，如视频解码、游戏渲染和多任务切换。
　　在便携式多媒体设备中，如MP4播放器、电子书阅读器和数码相框，M5M4V18165CTP可用于缓存音频视频流数据，确保播放流畅无卡顿。其自刷新功能在设备进入待机状态时仍能保持媒体数据不丢失，同时最大限度地节省电量。
　　此外，该芯片也常见于无线通信模块和物联网（IoT）终端设备中，例如4G/5G模块、Wi-Fi路由器、智能穿戴设备和工业无线传感器节点。在这些设备中，M5M4V18165CTP作为通信协议栈处理和数据包缓冲的临时存储单元，保障了高速数据交换的稳定性。
　　在嵌入式控制系统和便携式医疗设备（如血糖仪、心率监测仪）中，该SDRAM提供可靠的运行内存支持，配合微控制器或SoC实现复杂算法运算和人机交互功能。其工业级温度适应性和高可靠性也使其适用于车载导航系统、车载信息娱乐主机和行车记录仪等汽车电子应用。

IS42S16160J-7BLI8