M5M4C264L-15 时间：2025/9/28 11:00:26 阅读：13

M5M4C264L-15是一款由三菱电机（Mitsubishi Electric）生产的动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于高速、低功耗的FPM DRAM（Fast Page Mode Dynamic Random Access Memory）类型。该芯片广泛应用于20世纪90年代的计算机系统、工业控制设备、嵌入式系统以及通信设备中。M5M4C264L-15的容量为16Mb（兆位），组织结构为4M x 4位，即内部存储阵列为4兆个存储单元，每个单元存储4位数据。其采用标准的3.3V或5V供电电压，兼容多种系统设计需求，并支持常见的EDO（Extended Data Out）或FPM操作模式，以提升数据读取效率。该芯片封装形式通常为50引脚SOJ（Small Outline J-leaded Package），适合高密度PCB布局。尽管随着技术发展，SDRAM和DDR等新型内存已逐步取代FPM DRAM在主流市场的地位，但M5M4C264L-15仍在部分老旧设备维护、工业自动化系统升级及特定军工或航天项目中具有一定的使用价值。由于其停产多年，目前市场供应主要依赖库存或二手渠道，因此在替换或采购时需特别注意批次与可靠性。

参数

型号：M5M4C264L-15
　　制造商：Mitsubishi Electric
　　存储类型：FPM DRAM
　　存储容量：16 Mbit (4M x 4)
　　工作电压：5V ± 10% 或 3.3V（视版本而定）
　　访问时间：15 ns
　　封装类型：50-pin SOJ
　　数据总线宽度：4位
　　刷新周期：8 ms（典型值）
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　最大功耗：典型300mW（运行模式）

特性

M5M4C264L-15具备典型的快速页面模式（FPM）DRAM特性，能够在连续访问同一行地址内的多个列地址时显著提高数据传输效率。其核心工作机制基于动态电容存储原理，需要定期刷新以维持数据完整性。该芯片支持两种主要操作模式：静态列读写和快速页面模式，在页面模式下，通过保持行地址有效并仅改变列地址，实现多个数据的快速连续读取，从而减少地址设置时间开销。
　　该器件采用了CMOS工艺制造，具备较低的静态功耗和较高的噪声抗扰能力，适用于对稳定性要求较高的工业环境。其15ns的存取时间在当时属于高性能级别，能够满足早期386、486乃至初代Pentium处理器系统的内存带宽需求。此外，M5M4C264L-15具备标准的控制信号接口，包括行地址选通（RAS）、列地址选通（CAS）、写使能（WE）和输出使能（OE），便于与各类内存控制器配合使用。
　　为了保证长期运行的可靠性，该芯片内置了片上刷新逻辑支持，可配合外部控制器实现自动刷新或自刷新功能。其50引脚SOJ封装具有良好的散热性能和机械稳定性，适合表面贴装工艺，广泛用于多层主板设计中。虽然不具备现代同步DRAM的时钟驱动机制，但其异步接口设计使得系统时序控制更加灵活，尤其适合非实时操作系统或简单嵌入式架构的应用场景。

应用

M5M4C264L-15主要用于20世纪90年代中期的个人计算机主板作为主内存模块的核心组件，尤其是在采用FPM内存条（如72-pin SIMM）的设计中被大量使用。它也常见于当时的图形工作站、服务器系统以及高端打印机、复印机等办公自动化设备中，用于缓存图像数据或程序代码。
　　在工业控制领域，该芯片被集成于PLC（可编程逻辑控制器）、数控机床（CNC）系统、数据采集卡等设备中，承担实时数据暂存和处理任务。由于其稳定的电气性能和较长的生命周期验证，部分工业用户在其产品设计中持续使用该型号直至2000年代初期。
　　此外，M5M4C264L-15还应用于通信基础设施设备，如程控交换机、调制解调器、路由器和基站控制器等，用于帧缓冲、协议处理和信令存储等功能。在军事和航空航天领域，由于某些系统的设计周期极长且更换成本高昂，至今仍有少量设备依赖此类DRAM芯片进行维护和备件替换。因此，该芯片在电子维修市场和逆向工程服务中仍具有一定需求。