型号：M5M44265CTP-6RO
　　制造商：Fujitsu
　　存储类型：DRAM
　　存储结构：4M x 4位
　　总容量：16兆位（16Mb）
　　电源电压：3.3V ± 0.3V
　　访问时间：60ns
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　封装类型：54引脚TSOP
　　数据宽度：4位
　　刷新周期：8ms 或 64ms（取决于模式）
　　最大功耗：典型值约300mW
　　/RAS 到 /CAS 延迟（tRCD）：最小25ns
　　行预充电时间（tRP）：最小25ns
　　突发模式支持：支持快速页模式（FPM）
　　地址多路复用：支持

M5M44265CTP-6RO具备典型的快速页模式DRAM特性，能够在连续访问同一行地址的不同列时显著提升数据读取效率。在快速页模式下，行地址被锁定后，多个列地址可以依次被激活而无需重新加载行地址，从而减少了/RAS信号的频繁切换，提高了整体访问速度。这种机制特别适用于需要连续读取图像数据或文本块的应用场景。
　　该芯片采用CMOS制造工艺，具有较低的静态功耗和动态功耗，适合对功耗敏感的嵌入式系统使用。其3.3V供电设计相较于早期的5V DRAM产品，进一步降低了系统热损耗，提升了集成度。此外，M5M44265CTP-6RO内部集成了自定时刷新电路，支持CAS先行刷新（CAS-before-RAS, CBR）功能，可在不中断正常操作的前提下完成存储单元的数据保持刷新，确保长期运行的稳定性。
　　器件引脚布局经过优化，符合JEDEC标准TSOP封装规范，便于自动化贴片生产和后期维修更换。所有输入/输出引脚均具备一定的电平兼容性和噪声抑制能力，增强了系统的抗干扰性能。M5M44265CTP-6RO还支持两种主要的刷新模式：自动刷新和自刷新，其中自刷新模式可在待机状态下大幅降低功耗，适用于间歇性工作的设备。
　　虽然该芯片不具备现代同步DRAM的时钟同步功能，但其异步接口设计使其能够灵活适配多种控制器平台，尤其是在基于ISA或VL-Bus架构的老式主板上表现良好。此外，其60ns的访问时间在当时属于高性能级别，足以满足大多数非多媒体应用的需求。由于停产多年，目前市场上主要依赖库存或二手渠道获取，因此在替代选型时需注意批次一致性与可靠性验证。

M5M44265CTP-6RO曾广泛应用于上世纪末至本世纪初的各种电子系统中。其主要用途包括作为早期个人计算机（如486、Pentium级主板）的主内存模块组件，用于扩展系统RAM容量。在图形终端和单色/彩色显示器控制卡中，该芯片也常被用作帧缓冲存储器，以支持文本和简单图形界面的显示需求。
　　在工业控制领域，M5M44265CTP-6RO被集成于PLC控制器、人机界面（HMI）设备以及数控机床中，用于暂存运行参数、I/O状态和程序代码。由于其稳定性和长时间供货记录，许多工厂自动化设备在其生命周期内都采用了此类DRAM作为关键存储元件。
　　此外，该芯片也被用于打印机、复印机和传真机等办公设备中，负责缓存打印任务数据和字体信息。在网络通信方面，部分老式路由器、调制解调器和交换机模块也曾采用该型号进行数据包缓冲处理。
　　目前，尽管新设计已不再采用此类异步DRAM，但在设备维修、备件替换和技术升级项目中，M5M44265CTP-6RO仍具有实际应用价值。特别是在维持原有系统兼容性的前提下，使用相同规格的FPM DRAM可避免硬件重构带来的风险与成本。对于需要长期服役的工业设施而言，掌握该芯片的技术细节有助于延长设备使用寿命并保障生产连续性。

IS42S16100D-6BLI