型号：M5M44258BJ-8
　　制造商：Fujitsu
　　存储类型：DRAM
　　存储架构：4M x 8位
　　总容量：32 Mbit (4 MB)
　　工作电压：5V ± 10%
　　访问时间：80ns / 85ns / 100ns 可选（本型号为-8，表示80ns）
　　工作模式：Fast Page Mode (FPM)
　　刷新周期：8ms 或 64ms（取决于具体配置）
　　刷新方式：CAS Before RAS (CBR) 或 自刷新（部分版本支持）
　　封装类型：54-pin SOJ (Small Outline J-leaded Package)
　　引脚间距：1.27mm
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　输入电平：TTL 兼容
　　输出驱动能力：标准 LVTTL 负载

M5M44258BJ-8具备典型的FPM DRAM操作特性，支持突发式读写访问，在同一行地址下的多个列地址可以连续访问而无需重复行地址选通，显著提高了数据传输效率。其核心机制基于动态电容存储原理，每个存储单元由一个晶体管和一个电容器组成，因此必须定期进行刷新操作以维持数据完整性。该芯片支持两种主要的刷新模式：一种是通过外部控制器发出RAS信号进行逐行刷新；另一种是利用片内自动刷新逻辑（若支持），由内部计数器管理刷新地址，减少CPU干预负担。M5M44258BJ-8的控制信号包括行地址选通（RAS）、列地址选通（CAS）、写使能（WE）和输出使能（OE），这些信号协同实现寻址、读写和三态输出控制。地址复用技术被广泛应用，即通过地址总线分时传送行地址和列地址，有效减少了引脚数量。该器件在读写操作中表现出较低的功耗特性，典型工作电流约为80mA，待机电流低于50mA，适合长时间运行的工业设备应用。此外，M5M44258BJ-8具有较强的抗干扰能力和环境适应性，能够在宽温范围内稳定工作，满足商业级产品要求。其SOJ封装具有良好的机械强度和焊接可靠性，适用于自动化贴片生产线。虽然不支持现代同步时钟接口，但其异步控制协议简单明了，易于在低复杂度系统中集成。值得注意的是，该芯片不具备电池备份保持功能，断电后数据会立即丢失，因此需配合后备电源或非易失性存储器使用于关键数据保存场景。
　　M5M44258BJ-8的设计充分考虑了系统兼容性和扩展性，多个芯片可并联构成更高位宽（如16位或32位）的数据总线结构，常见于386、486及早期Pentium系统的内存模块设计中。其严格的时序规范确保了与其他逻辑器件的可靠通信，数据建立和保持时间均符合工业标准。尽管访问速度相对于现代存储器较慢，但在其时代背景下已属高性能产品，尤其适用于文本处理、图形显示缓冲和实时控制任务等对带宽要求不极端的应用领域。

M5M44258BJ-8主要用于需要中等容量动态存储器的电子系统中，典型应用包括1990年代的个人计算机主板和SIMM内存条，作为主系统内存支持DOS、Windows 3.x/95等操作系统的运行。在工业控制领域，它被广泛用于PLC（可编程逻辑控制器）、数控机床（CNC）和人机界面（HMI）设备中，用于暂存程序代码、I/O状态和中间运算结果。此外，该芯片也常见于办公自动化设备，如激光打印机、多功能一体机和数字复印机中，用于图像数据缓存和页面渲染处理。在网络通信设备方面，M5M44258BJ-8曾用于早期的路由器、集线器和交换机中，承担数据包缓冲和队列管理功能。在消费类电子产品中，部分高端电视、机顶盒和游戏主机也曾采用此类DRAM构建视频帧缓冲区。由于其稳定的电气特性和长期供货记录，该器件还被应用于医疗仪器、测试测量设备和航空航天地面支持系统等对可靠性要求较高的场合。尽管目前已退出主流市场，但在设备维修、备件替换和遗留系统维护中仍有实际需求，特别是在无法获取原厂整条内存模块的情况下，单颗M5M44258BJ-8可用于手工修复或定制化替代方案开发。此外，一些教育机构和电子爱好者也将其用于学习DRAM工作原理、总线时序分析和老式计算机架构研究的教学实验平台。

M5M44258BJ-10
　　M5M44258BJ-12
　　TC59S417APL-80
　　HY514400BLJ-8