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M5LV-128/104-7VC 发布时间 时间:2025/8/19 18:47:38 查看 阅读:29

M5LV-128/104-7VC 是一款由 Cypress Semiconductor(赛普拉斯半导体)制造的低电压、非易失性存储器(Flash Memory)芯片。该器件属于M5LV系列,专为高性能、低功耗和高可靠性应用设计,适用于多种工业和消费类电子产品。M5LV-128/104-7VC 采用了先进的闪存技术,具备较高的存储密度和快速的数据访问能力,适合用于需要频繁更新和存储大量数据的应用场景。

参数

存储容量:128 Mbit
  组织结构:16M x 8 / 8M x 16
  电源电压:2.3V 至 3.6V
  访问时间:70ns(最大)
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  引脚数量:56引脚
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  接口类型:并行接口
  读取电流:10mA(典型值)
  待机电流:10μA(最大)
  编程/擦除电压:内部电荷泵生成
  编程时间:100μs/word(典型)
  擦除时间:1s/sector(典型)

特性

M5LV-128/104-7VC 具备一系列优异的性能特性,适用于多种应用场景。首先,其128 Mbit的存储容量支持大容量数据存储,适合用于需要存储大量固件或数据的应用,如嵌入式系统、工业控制器和通信设备。该芯片支持2.3V至3.6V的宽电压范围,确保在不同供电条件下都能稳定运行,同时降低了对外部稳压电路的依赖,提高了系统的灵活性。
  该器件的访问时间为70ns,提供了快速的数据读取能力,确保系统能够高效地执行程序或访问数据。封装采用56引脚TSOP形式,具有良好的散热性能和机械稳定性,适用于高密度PCB布局环境。工作温度范围为-40°C至+85°C,满足工业级温度要求,使其在极端环境下依然保持可靠运行。
  在功耗方面,M5LV-128/104-7VC 表现出色。其典型读取电流为10mA,待机电流仅为10μA,有效延长了电池供电设备的使用寿命,适用于便携式设备和低功耗应用。此外,该芯片内置电荷泵电路,能够自动生成编程和擦除所需的高压,简化了外部电路设计,降低了系统复杂度。
  该芯片还支持按扇区擦除和按字编程功能,提供灵活的数据管理方式,允许用户仅更新需要修改的部分内容,而不必对整个芯片进行擦除,从而提高了数据操作的效率并延长了芯片的使用寿命。

应用

M5LV-128/104-7VC 主要应用于需要高性能、低功耗和非易失性存储的电子系统。常见应用包括工业自动化控制器、通信设备(如路由器和交换机)、消费电子产品(如数码相机和便携式媒体播放器)、汽车电子系统(如车载导航和控制系统)以及医疗设备等。由于其高可靠性和宽温度范围,它也广泛用于恶劣环境下的嵌入式系统。

替代型号

M5LV128-70G8E1B4I-AC,M5LV128-70G8E1B4I-BC,M5LV128-70G8E1B4I-ZC

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M5LV-128/104-7VC参数

  • 制造商Lattice
  • 产品种类CPLD - 复杂可编程逻辑器件
  • 存储类型EEPROM
  • 大电池数量128
  • 每个宏指令的积项数32
  • 最大工作频率100 MHz
  • 延迟时间7.5 ns
  • 可编程输入/输出端数量516
  • 工作电源电压3.3 V
  • 最大工作温度+ 70 C
  • 最小工作温度0 C
  • 封装 / 箱体TQFP-144
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装Tray
  • 工厂包装数量300
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min3 V