时间：2025/12/25 14:13:18
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2SAR514P是一款由Toshiba（东芝）公司生产的N沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及开关电源等高效率、高频工作的电子电路中。该器件采用先进的沟槽式场效应技术制造，具有较低的导通电阻（RDS(on)）和快速的开关特性，使其在处理大电流和高频率切换时表现出优异的性能。2SAR514P的封装形式为SOP Advance（小外形封装），这种表面贴装型封装有助于减小PCB占用面积，适用于空间受限的紧凑型电子产品设计。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和可靠性，在工业控制、消费类电子和便携式设备中均有广泛应用。其额定电压为30V，连续漏极电流可达18A，适合用于低电压、大电流的应用场景。器件符合RoHS环保标准，无铅且对环境友好。2SAR514P的设计目标是提供高效的功率转换能力，同时降低系统功耗和发热，提升整体能效。由于其出色的电气特性和稳定的批量生产质量，2SAR514P成为许多工程师在进行中小功率电源设计时的优选之一。
型号：2SAR514P
制造商：Toshiba
产品类型：MOSFET
通道类型：N-Channel
漏源电压VDS：30 V
栅源电压VGS：±20 V
连续漏极电流ID：18 A
脉冲漏极电流IDM：72 A
导通电阻RDS(on) Max：6.5 mΩ @ VGS = 10 V
导通电阻RDS(on) Max：8.5 mΩ @ VGS = 4.5 V
阈值电压VGS(th)：1.0 V ~ 2.5 V
输入电容Ciss：2600 pF @ VDS = 15 V
输出电容Coss：960 pF @ VDS = 15 V
反向恢复时间trr：28 ns
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装/外壳：SOP Advance (HJ)
安装类型：表面贴装(SMT)
2SAR514P作为一款高性能的N沟道MOSFET，具备多项关键技术特性，使其在现代电源管理系统中表现卓越。首先，其极低的导通电阻RDS(on)是该器件的核心优势之一。在VGS=10V条件下，最大RDS(on)仅为6.5mΩ；而在VGS=4.5V时也仅达到8.5mΩ，这意味着在实际应用中可以显著减少导通损耗，提高系统的整体效率，特别适用于电池供电设备或需要长时间运行的节能型装置。低RDS(on)还意味着更少的热量产生，从而降低了散热设计的复杂度与成本。
其次，该器件采用了东芝专有的沟槽结构工艺，优化了载流子流动路径，提升了单位面积下的电流承载能力。这不仅增强了器件的电流密度，还改善了热分布均匀性，提高了长期工作的可靠性和稳定性。同时，2SAR514P拥有高达18A的连续漏极电流能力，并支持72A的脉冲漏极电流，使其能够应对瞬态负载变化和突发电流需求，非常适合用于电机启动、LED驱动或DC-DC同步整流等动态响应要求高的场合。
再者，2SAR514P的输入电容Ciss为2600pF，输出电容Coss为960pF，这些适中的寄生参数保证了较快的开关速度，同时避免了过高的驱动功率需求。其反向恢复时间trr为28ns，配合体二极管的良好特性，可在桥式电路或续流应用中有效抑制振铃和电磁干扰（EMI）。此外，器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应各种恶劣环境条件下的使用，包括工业自动化设备和汽车电子系统。
最后，SOP Advance(HJ)封装不仅实现了小型化设计，还通过优化引脚布局和内部连接方式，提升了散热性能和机械强度。该封装支持全自动贴片生产，有利于大规模制造中的良率控制和成本优化。综合来看，2SAR514P以其低导通电阻、高电流能力、优良的开关特性和可靠的封装设计，成为中小功率电力电子应用中的理想选择。
2SAR514P广泛应用于多种电力电子和功率控制领域。常见用途包括：便携式电子设备中的DC-DC降压或升压转换器，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源模块；工业控制系统中的电机驱动电路，用于控制小型直流电机或步进电机的启停与调速；通信设备中的电源管理单元，实现高效能量转换与分配；LED照明驱动电源，特别是在需要恒流输出和高效率的场景下；以及各类开关电源（SMPS）中的同步整流环节，用以替代传统二极管以降低压降和功耗。此外，该器件也可用于电池保护电路、热插拔控制器、逆变器和UPS不间断电源系统中，承担主开关或保护开关的角色。得益于其高可靠性与紧凑封装，2SAR514P同样适用于空间受限但性能要求较高的嵌入式系统和模块化电源设计。
TPH3R30ANL,TPH4R20ANL,SI4126DY
