M5L2708K 时间：2025/9/28 15:24:04 阅读：6

M5L2708K是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高压、大电流达林顿晶体管阵列芯片。该器件集成了七个多达林顿对，每个对由两个双极型晶体管构成复合达林顿结构，具有高电流增益和较强的负载驱动能力。M5L2708K广泛应用于需要将微弱控制信号转换为较高功率输出的场合，如继电器驱动、步进电机控制、LED显示阵列驱动以及各类工业自动化控制系统中。该芯片采用16引脚DIP或SO封装形式，具备较高的抗干扰能力和热稳定性，适合在工业级温度范围内可靠运行。内部集成的续流二极管可有效抑制感性负载在开关过程中产生的反向电动势，从而保护晶体管不被击穿，提升了系统的安全性和可靠性。

参数

类型：达林顿晶体管阵列
　　通道数：7路
　　最大集电极电压（Vceo）：50V
　　最大集电极电流（每通道）：500mA
　　峰值集电极电流：600mA
　　最大功耗：625mW（@25°C）
　　电流增益（hFE）：典型值1000
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：16-DIP 或 16-SOIC

特性

M5L2708K的核心特性在于其高度集成的七通道达林顿对结构，每一个通道均由两个NPN晶体管以达林顿方式连接，形成极高的电流放大倍数，通常可达1000以上，这使得即使输入信号非常微弱，也能驱动较大的负载电流。这种设计特别适用于微控制器、FPGA或逻辑电路输出驱动能力不足的场景，通过该芯片实现信号的功率放大与隔离驱动。
　　每个通道的集电极能够承受最高50V的电压和持续500mA的电流，瞬时峰值可达600mA，满足大多数中等功率负载的需求。此外，芯片内部为每个输出通道都集成了一个反向并联的续流二极管，专门用于抑制继电器、电磁阀、电机等感性负载在关断时产生的反向电动势（即反电动势或感应电压），防止电压尖峰损坏晶体管或其他邻近元件，从而显著提升系统在工业环境下的稳定性和寿命。
　　M5L2708K具备良好的热性能和电气隔离能力，能够在-40°C至+85°C的宽温度范围内稳定工作，适用于恶劣工业环境。其引脚布局经过优化，便于PCB布线和散热管理。该器件还具有较低的饱和压降，有助于减少功耗和发热。由于采用标准DIP或SOIC封装，兼容自动插件和表面贴装工艺，适合大规模生产应用。值得一提的是，该芯片输入端兼容TTL和CMOS电平，可直接与多数数字逻辑电路接口，无需额外电平转换电路，简化了系统设计。

应用

M5L2708K常用于各类需要多路中等功率负载控制的应用场景。在工业控制领域，它被广泛用于PLC输出模块中驱动继电器、接触器或电磁阀，实现对机械设备的远程控制。在办公自动化设备中，如打印机、扫描仪和传真机，该芯片可用于驱动步进电机或电磁离合器。
　　在消费电子方面，M5L2708K可用于LED点阵显示屏的行或列驱动，尤其适用于需要动态扫描的大尺寸单色LED屏。此外，在汽车电子系统中，可用于车身控制模块中的灯光控制、喇叭驱动或车窗电机控制等非关键性负载驱动任务。
　　由于其高集成度和高可靠性，该芯片也常见于各类嵌入式控制系统、数控设备、自动售货机、安防报警系统以及智能家居控制面板中。其通用性强、使用简单的特点使其成为工程师在进行多路开关量输出设计时的常用选择之一。