型号：M5K4164NS-15
　　制造商：Fujitsu
　　存储类型：DRAM
　　存储容量：16 Mbit (2 MB)
　　组织结构：208K x 8 bits
　　工作电压：3.3V ± 0.3V
　　访问时间：15 ns
　　封装类型：54-pin SOJ
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　刷新周期：8 ms 或 64 ms（取决于模式）
　　数据保持电压：≥ 2.0V
　　输出驱动能力：LVTTL 兼容
　　最大功耗：典型值约 500 mW
　　时钟频率：异步操作，无固定时钟输入
　　地址复用方式：行/列地址多路复用

M5K4164NS-15具备典型的快速页模式（FPM）DRAM操作特性，支持高效的突发读写功能。在进行连续地址访问时，一旦激活某一行地址后，可以在不重新加载行地址的情况下多次切换列地址，从而显著提高数据吞吐率。这种机制特别适用于需要连续读取大量数据的应用场景，如图形显示缓冲区访问或批量数据传输。其15ns的访问时间在当时的异步DRAM中属于较快级别，能够满足大多数32位微处理器系统的性能需求。芯片内部集成了自刷新逻辑，可在低功耗状态下维持数据完整性，延长数据保持时间，这对于便携式设备或间歇性工作的控制系统尤为重要。
　　该器件支持标准的DRAM控制信号，包括行地址选通（RAS）、列地址选通（CAS）、写使能（WE）和输出使能（OE），这些信号允许其灵活地集成到各种存储控制器架构中。通过地址多路复用技术，仅需较少的引脚即可实现完整的地址输入，有效降低了封装复杂度和PCB布线难度。此外，M5K4164NS-15具有良好的噪声抑制能力和稳定的输出驱动特性，能够在复杂的电磁环境中可靠运行。其TTL电平兼容性也使得它可以无缝连接到多种传统逻辑电路和微控制器系统。
　　在可靠性方面，该芯片经过严格的质量测试，符合工业级环境要求，具备较强的抗干扰能力和长期稳定性。虽然不具备现代同步DRAM的流水线操作或预取功能，但在其设计时代，M5K4164NS-15代表了高性能与成本效益之间的良好平衡。对于需要替换老旧系统内存模块的技术人员而言，理解其时序参数（如tRAC、tCAC、tRC等）并正确配置存储控制器至关重要，以确保系统稳定运行。

M5K4164NS-15主要用于20世纪90年代至21世纪初的各种电子系统中，尤其是在个人计算机的SIMM内存条中广泛应用。它常被用于386、486及早期Pentium处理器平台的主存储器模块构建，是当时台式机和工作站的重要组成部分。此外，在工业自动化领域，许多PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备和数控机床也采用了此类DRAM芯片作为程序和数据缓存存储介质。
　　在通信设备中，M5K4164NS-15曾用于路由器、交换机和电话交换系统中的帧缓冲和临时数据存储单元。由于其异步接口特性，非常适合与非同步总线架构的微控制器配合使用，例如在基于Motorola 68000系列或Intel 80386EX等嵌入式处理器的设计中。
　　当前，虽然该芯片已不再用于新产品设计，但在设备维修、备件替换和遗产系统维护中仍有一定需求。特别是在航空航天、军事装备和铁路信号系统等对长期供货和生命周期管理有特殊要求的行业中，M5K4164NS-15及其兼容型号仍然是关键的替代资源。此外，复古计算爱好者和老式游戏机修复者也会使用这类芯片来恢复经典计算机系统的原始性能和外观。

KM416S4120BT-15
　　HY5168405BP-15
　　CY7C1541KV-15AC