容量：128 Mbit (16MB)
　　电压范围：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：150 ns
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：56
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：并行异步接口
　　读取电流：典型值 5 mA
　　待机电流：典型值 10 μA

M58LW128A150N1 是一款高性能、低功耗的 Flash 存储器芯片，具有多种优良特性。其工作电压范围为 2.3V 至 3.6V，适用于多种电源环境，具备良好的电源适应性。
　　芯片的访问时间为 150 ns，确保了快速的数据读取能力，满足实时系统对存储器响应速度的要求。其采用的 TSOP 封装形式不仅体积小巧，还具有良好的热稳定性和电气性能，适用于空间受限的应用场景。
　　该 Flash 芯片支持并行异步接口，与多种嵌入式处理器和控制器兼容，简化了系统设计。其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，确保在工业级环境下的稳定运行。
　　此外，M58LW128A150N1 的待机电流极低，仅为 10 μA 典型值，有助于延长手持设备和便携式产品的电池寿命。读取电流为 5 mA 典型值，进一步优化了功耗性能。
　　这款芯片广泛用于需要可靠非易失性存储的应用，如移动电话、PDA、数据采集设备以及工业控制系统。其高可靠性和稳定性使其成为许多嵌入式系统的首选存储解决方案。

M58LW128A150N1 常用于需要低功耗和高性能的嵌入式系统中。例如，在手持设备如智能手机和平板电脑中，它用于存储操作系统代码、应用程序和用户数据。在便携式医疗设备中，该芯片可以提供可靠的非易失性存储，用于保存设备固件和患者数据。此外，它还广泛应用于工业控制系统、测量仪器和数据记录器，用于存储校准数据、程序代码和操作日志。由于其宽温度范围和良好的稳定性，该芯片也适用于户外设备和车载电子系统，如 GPS 导航仪和车载娱乐系统。

M58LW128A150N1ZB4, M58LW128A150N1B4, M58LW128A150N1T4