容量：64Mbit
　　组织结构：8M x 8 / 4M x 16
　　电压范围：2.7V - 3.6V
　　访问时间：110ns
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：56
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：并行接口
　　

M58LW064D-110N6E 具备多项优异的性能特点，首先是其低电压操作范围，支持2.7V到3.6V的工作电压，使其适用于多种低功耗应用场景。该芯片的高速访问时间为110ns，能够满足嵌入式系统中对快速启动和实时响应的需求。此外，该器件支持并行接口，允许直接连接到微控制器或处理器，提高数据传输效率。
　　M58LW064D-110N6E 提供了灵活的存储组织结构，可以选择8M x 8 或 4M x 16 的配置，适应不同的系统架构需求。其支持的编程和擦除操作具有高可靠性，擦除和写入周期可达10万次以上，数据保存时间长达10年。此外，该芯片还内置了多种保护机制，如软件数据保护和硬件写保护，防止意外的数据写入或擦除，确保系统稳定性和数据完整性。
　　在封装方面，M58LW064D-110N6E 采用TSOP封装，具有56个引脚，适合高密度PCB设计。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级和商业级环境，具有良好的温度稳定性和抗干扰能力。

M58LW064D-110N6E 主要应用于需要高性能、低功耗和高可靠性的嵌入式系统中。常见的应用包括工业自动化控制系统、通信设备（如路由器和交换机）、消费类电子产品（如数字电视和机顶盒）、汽车电子设备以及各种需要非易失性存储器的嵌入式平台。其高速访问时间和灵活的接口配置使其成为代码存储和固件更新的理想选择，尤其适用于需要频繁读取和偶尔写入的场景。

M58LW064D-110N6E 的替代型号包括 M58LW064D-110N6P、M58LW064D-110N6T 和 M58LW064D-110N6G。这些型号在封装、工作温度范围或性能上略有不同，可根据具体应用需求进行选择。