时间：2025/5/10 9:56:30
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FCH110N65F-F155 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种高频开关应用场合。其耐压值高达 650V，适合在高电压环境中工作，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。
该型号由 Fairchild Semiconductor（现为 ON Semiconductor）生产，经过优化设计，能够在各种条件下提供稳定可靠的性能表现。
最大漏源极电压：650V
最大连续漏极电流：11A
导通电阻（典型值）：1.2Ω
栅极电荷：37nC
输入电容：1420pF
总功耗：16W
结温范围：-55℃ 至 +150℃
1. 高击穿电压（650V），确保在高压环境下的可靠性。
2. 极低的导通电阻（典型值为 1.2Ω），能够有效减少功率损耗。
3. 快速开关性能，支持高频操作，降低电磁干扰。
4. 栅极电荷较低（37nC），有助于提高系统效率。
5. 具有出色的热稳定性和抗雪崩能力，能够在极端条件下正常工作。
6. 小尺寸封装设计，便于 PCB 布局与散热管理。
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换级。
2. 电机驱动电路，用于控制交流或直流电机的速度和方向。
3. 太阳能逆变器，实现直流到交流的高效转换。
4. 工业自动化设备中的负载切换和保护功能。
5. 不间断电源（UPS）系统中的关键功率元件。
6. LED 照明驱动电路，提供稳定的电流输出。
FCH110N65F, IRFZ44N, FDP11N65
