容量：64 Mbit (8 MB)
　　接口类型：并行接口
　　电压范围：2.7V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：56
　　读取访问时间：150 ns
　　编程/擦除电压：内部电荷泵
　　擦除块大小：8 KB / 64 KB
　　写入周期时间：1 ms（典型值）
　　待机电流：10 mA（最大值）
　　读取电流：150 mA（最大值）

M58LV064B150N6T 闪存芯片具有多种显著特性，使其在嵌入式系统和数据存储应用中表现出色。首先，其64 Mbit（8 MB）存储容量能够满足大多数中等规模数据存储需求，适用于固件存储、数据记录等任务。芯片支持2.7V至3.6V的宽电压范围，使其能够在不同的电源条件下稳定工作，并有助于降低系统的电源设计复杂性。
　　该芯片采用TSOP封装，56引脚的设计使其在PCB布局中具有良好的空间利用率，并且支持工业级工作温度范围（-40°C至+85°C），适用于恶劣环境下的可靠运行。150 ns的快速读取访问时间确保了高速数据读取能力，适合需要快速响应的应用场景。
　　在操作特性方面，M58LV064B150N6T支持8 KB和64 KB的擦除块大小，允许用户根据具体需求灵活地管理存储区域。内部电荷泵设计减少了外部电路的复杂性，提高了系统的集成度。1 ms的典型写入周期时间保证了较高的数据写入效率。
　　此外，该芯片具备低功耗特性，待机电流仅为10 mA，读取电流最大为150 mA，适用于对能耗敏感的系统。其高可靠性和耐用性也使其广泛应用于工业控制、智能卡终端、医疗设备和消费类电子产品。

M58LV064B150N6T 的典型应用包括嵌入式系统的固件存储、工业控制设备的数据记录、POS终端和智能卡读写器、网络设备的配置存储、消费类电子产品的软件更新存储以及各种需要非易失性存储的低功耗应用场景。

M58LV064B150N6B, M58LV064B150N6P, M58LV064B150N6T60