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M58LT256JST8ZA6E 发布时间 时间:2025/10/22 9:51:07 查看 阅读:22

M58LT256JST8ZA6E是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的高性能、低功耗的串行闪存存储器芯片,广泛应用于需要高密度非易失性存储的嵌入式系统中。该器件基于NOR型闪存技术,具备快速读取能力,支持标准SPI(串行外设接口)和四线I/O(QPI)操作模式,能够在多种工作电压条件下稳定运行。M58LT256JST8ZA6E的存储容量为256兆位(即32兆字节),采用先进的制造工艺,确保了高可靠性和长使用寿命。该芯片适用于工业控制、网络设备、消费类电子产品以及汽车电子等领域,尤其适合对数据保存安全性要求较高的应用场景。其封装形式为小型化的8引脚SOIC或WSON,有助于节省PCB空间,提升系统集成度。此外,该器件内置多种保护机制,包括软件和硬件写保护功能,防止因误操作或异常断电导致的数据损坏。整体设计兼顾性能、功耗与可靠性,是现代嵌入式系统中理想的代码和数据存储解决方案之一。

参数

型号:M58LT256JST8ZA6E
  制造商:STMicroelectronics
  类型:NOR Flash
  存储容量:256 Mbit (32 MB)
  接口类型:SPI, QPI
  工作电压:2.7V 至 3.6V
  时钟频率:最高支持80 MHz
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:8-TSSOP
  编程电压:标准电压
  擦除电压:内部电荷泵生成
  待机电流:典型值为1 μA
  主动电流:典型值为8 mA
  写保护功能:支持软件及硬件WP引脚
  写入/擦除耐久性:100,000 次循环
  数据保持时间:超过20年
  组织结构:按扇区、块和页面划分
  启动模式:支持上电自动加载模式
  安全特性:支持锁定寄存器和永久锁死功能

特性

M58LT256JST8ZA6E具备多项先进特性,使其在众多串行闪存产品中脱颖而出。首先,该芯片支持双模式通信接口,既可使用传统的SPI单线通信,也可启用QPI(四线并行I/O)模式,显著提升数据传输速率,在高频80MHz下实现高效读写操作,特别适合需要快速加载固件的应用场景,如工业PLC控制器或路由器启动程序存储。其次,器件内部集成了高性能电荷泵电路,可在标准供电电压下完成编程和擦除操作,无需额外高压电源,简化了系统电源设计,提高了整体能效。
  该芯片提供灵活的存储区域管理机制,支持多种擦除粒度,包括4KB扇区擦除、32KB块擦除和64KB块擦除,以及全片擦除功能,用户可根据实际需求选择最合适的操作方式,优化写入效率并延长器件寿命。同时,其写入耐久性高达10万次擦写周期,数据保持能力超过20年,确保长期稳定运行,满足工业级应用的严苛要求。
  在安全性方面,M58LT256JST8ZA6E配备了多层次保护策略。通过状态寄存器可配置软件写保护,防止误写或误删;硬件写保护引脚(WP#)可在外部控制写入权限,增强物理层面的安全防护。此外,芯片支持永久性锁定功能,一旦激活,特定区域将不可逆地被锁定,防止敏感信息被篡改或窃取,适用于存储加密密钥或校准参数等关键数据。
  该器件还具备出色的环境适应能力,工作温度范围覆盖-40°C至+85°C,符合工业级标准,可在恶劣环境下可靠运行。其低功耗特性体现在多种工作模式之间的智能切换,例如待机模式下电流低至1μA,极大延长电池供电设备的工作时间。综上所述,M58LT256JST8ZA6E以其高速、安全、耐用和节能的特点,成为高端嵌入式系统中不可或缺的核心存储组件。

应用

M58LT256JST8ZA6E广泛应用于多个高可靠性要求的技术领域。在工业自动化中,常用于PLC控制器、HMI人机界面和传感器模块中,用于存储固件、配置参数和校准数据,其宽温特性和抗干扰能力确保在复杂电磁环境中稳定运行。在网络通信设备中,如路由器、交换机和光模块,该芯片作为启动代码(Boot Code)存储器,利用其快速读取和QPI高速接口优势,实现系统的快速启动和高效运行。在消费类电子产品中,包括智能电视、机顶盒和智能家居中枢,M58LT256JST8ZA6E用于存放操作系统映像和应用程序代码,支持OTA远程升级,其高耐久性保证了频繁更新下的数据完整性。
  在汽车电子领域,该器件适用于车载信息娱乐系统(IVI)、仪表盘显示模块和ADAS辅助驾驶系统的非关键代码存储,虽然未达到车规AEC-Q100标准,但在部分准车规应用中仍具竞争力。医疗设备中,如便携式监护仪和诊断仪器,利用其低功耗和高可靠性特点,确保存储的生命体征数据和设备配置在断电后不丢失。此外,在测试测量仪器、POS终端和安防监控设备中,M58LT256JST8ZA6E也发挥着重要作用,提供安全、稳定的本地存储解决方案。其小型封装有利于紧凑型设计,而多级写保护机制则增强了系统的整体安全性,防止恶意篡改或意外故障。总体而言,该芯片适用于所有需要高性能、高安全性且空间受限的嵌入式存储场景。

替代型号

M25P256
  S25FL256S
  IS25LP256D
  W25Q256JV

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M58LT256JST8ZA6E参数

  • 标准包装816
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器闪存
  • 存储器类型闪存 - 或非
  • 存储容量256M(16Mx16)
  • 速度85ns
  • 接口并联
  • 电源电压1.7 V ~ 2 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳80-LBGA
  • 供应商设备封装80-LBGA(10x12)
  • 包装托盘