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M58LT128KSB8ZA6 发布时间 时间:2025/7/23 5:23:15 查看 阅读:8

M58LT128KSB8ZA6 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款并行NOR闪存芯片,容量为128兆位(16兆字节),采用56引脚TSOP封装。该芯片专为需要高速数据访问和可靠存储的应用设计,支持多种标准接口,适用于工业控制、通信设备和嵌入式系统。

参数

容量:128Mbit (16MB)
  电压范围:2.7V - 3.6V
  接口类型:Parallel NOR Flash
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:56-TSOP
  最大访问时间:55ns
  编程/擦除电压:内部产生
  支持块擦除功能:支持
  数据保持时间:10年
  

特性

M58LT128KSB8ZA6 具有高性能和高可靠性的特点,采用先进的CMOS技术制造,确保在各种恶劣环境下稳定运行。其低功耗设计使其非常适合电池供电设备或对能耗有严格要求的应用场景。该芯片支持多种擦除模式,包括全片擦除和按块擦除,提高了灵活性和数据管理效率。
  此外,M58LT128KSB8ZA6 提供了强大的错误检测和纠正功能,确保数据的完整性和可靠性。其56-TSOP封装设计有助于节省PCB空间,并提供良好的散热性能。该芯片的访问时间仅为55ns,适合高速数据传输和实时处理应用。
  这款存储器还支持软件数据保护机制,防止意外写入或擦除操作,提高了系统的稳定性和安全性。适用于需要高可靠性和高性能的工业控制、网络设备和嵌入式系统。

应用

M58LT128KSB8ZA6 常用于需要高速、可靠存储解决方案的应用场景,例如工业自动化设备、通信基础设施、嵌入式系统、手持设备和医疗仪器。该芯片的高速访问时间和低功耗特性使其成为需要实时数据处理和存储的理想选择。此外,它还可用于固件存储、数据日志记录和配置信息保存等场景。

替代型号

M29W128GL70ZA6E, S29GL128P10TFI02

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