时间：2025/7/25 7:16:42
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2N6764T1 是一款由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率和高频率应用。这款晶体管设计用于在高电压和高电流条件下提供可靠的性能，同时保持较低的导通电阻，以减少功率损耗。2N6764T1 采用 TO-220 封装，适用于多种工业应用，包括电源、电机控制和 DC-DC 转换器。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极电流（ID）：30A
漏源电压（VDS）：250V
栅源电压（VGS）：20V
导通电阻（RDS(on)）：0.11Ω
功率耗散（PD）：150W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220
2N6764T1 的一个重要特性是其低导通电阻（RDS(on)），这有助于减少在高电流应用中的功率损耗并提高效率。
该 MOSFET 具有高耐压能力，漏源电压（VDS）可达 250V，适合用于高电压环境。
其高漏极电流（ID）为 30A，使其能够在高负载条件下稳定工作。
由于其高功率耗散能力（150W），该器件可以在高负载条件下长时间运行而不会过热。
此外，2N6764T1 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，使其能够在极端环境条件下可靠运行。
2N6764T1 主要用于需要高功率和高电压处理能力的电子设备中。
在电源系统中，它常用于开关电源（SMPS）中的功率开关，以提高电源转换效率。
在电机控制应用中，该 MOSFET 可用于驱动直流电机和步进电机，提供高效的电机控制解决方案。
此外，它也适用于 DC-DC 转换器，如升压（Boost）和降压（Buck）转换器，用于调节和稳定输出电压。
在电池管理系统中，2N6764T1 可用于电池充放电控制电路，以确保电池的安全和高效运行。
工业自动化设备和不间断电源（UPS）系统也常使用该器件进行高功率管理。
此外，该 MOSFET 还可用于逆变器、照明控制和高功率 LED 驱动电路。
IRF630、IRF840、BUZ11、FDPF6N20、STP12NM25T
