您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > M58LR256KB70ZQ5Z

M58LR256KB70ZQ5Z 发布时间 时间:2025/12/27 3:35:25 查看 阅读:21

M58LR256KB70ZQ5Z是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的高性能、低功耗的串行NOR闪存芯片,广泛应用于需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。该器件采用先进的浮栅技术制造,具备高耐久性和数据保持能力,适用于工业控制、通信设备、消费电子以及汽车电子等多种应用场景。M58LR256KB70ZQ5Z的存储容量为256 Mbit(即32 MB),组织方式为典型的串行外设接口(SPI)结构,支持标准SPI、Dual SPI和Quad SPI操作模式,能够显著提升数据传输速率,满足高速代码执行和数据存储的需求。该芯片工作电压范围为2.7V至3.6V,兼容主流微控制器的I/O电平,便于系统集成。封装形式为小型化的8引脚WSON或SOIC封装,适合空间受限的应用场合。此外,该器件内置了多种保护机制,包括软件和硬件写保护功能,可有效防止因误操作或异常掉电导致的数据损坏。M58LR256KB70ZQ5Z还支持JEDEC标准的串行闪存可发现参数(SFDP),便于主机系统自动识别其特性并配置合适的读写时序。整体而言,这款闪存芯片在性能、可靠性与功耗之间实现了良好平衡,是现代嵌入式系统中理想的代码和数据存储解决方案之一。

参数

型号:M58LR256KB70ZQ5Z
  制造商:STMicroelectronics
  存储容量:256 Mbit (32MB)
  存储类型:串行NOR Flash
  接口类型:SPI, Dual SPI, Quad SPI
  工作电压:2.7V ~ 3.6V
  时钟频率:最高70 MHz
  读取延迟:典型值8 ns
  编程时间:典型值1.4 ms/页
  擦除时间:典型值300 ms/扇区
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:8-WSON (5mm x 6mm) 或 8-SOIC
  写保护功能:支持软件与硬件写保护
  可靠性:10万次编程/擦除周期
  数据保持:超过20年

特性

M58LR256KB70ZQ5Z具备多项先进特性,确保其在复杂环境下的稳定运行和高效性能表现。首先,该芯片支持多种SPI协议模式,包括标准SPI、Dual SPI和Quad SPI,用户可根据系统需求灵活选择,以优化数据吞吐率。在Quad SPI模式下,通过四条数据线同时传输数据,可实现高达70 MHz的时钟频率,从而显著提升读取速度,支持XIP(eXecute In Place)功能,允许微控制器直接从闪存中执行代码,减少对外部RAM的依赖,提高系统响应速度。
  其次,该器件具备卓越的耐久性和数据保持能力,支持高达10万次的编程/擦除周期,确保长期频繁使用的可靠性。即使在极端温度条件下(-40°C至+85°C),也能保持稳定的数据存储性能,适用于工业和汽车级应用环境。芯片内部集成了智能写保护机制,包括软件写保护、WP#引脚控制的硬件写保护以及通电/断电时的自动写锁定功能,有效防止意外写入或擦除操作,保护关键固件不被篡改。
  此外,M58LR256KB70ZQ5Z遵循JEDEC SFDP标准,内置可发现参数表,主机可通过标准命令读取其容量、时序参数和功能支持信息,实现自动配置,简化系统设计流程。该芯片还支持多种低功耗模式,如深度掉电模式(Deep Power-down Mode),在此模式下电流消耗可降至几微安级别,非常适合电池供电或对能效要求较高的便携式设备。
  安全性方面,器件提供唯一标识码(UID)功能,可用于设备认证或防伪追踪。同时支持安全寄存器和一次性可编程(OTP)区域,用于存储加密密钥或其他敏感信息,增强系统整体安全性。综合来看,这些特性使M58LR256KB70ZQ5Z成为高性能嵌入式存储的理想选择。

应用

M58LR256KB70ZQ5Z广泛应用于多种需要高速、可靠非易失性存储的电子系统中。在工业自动化领域,常用于PLC控制器、HMI人机界面、工业网关等设备中,用于存储操作系统、应用程序代码及配置参数,其宽温特性和高抗干扰能力确保在恶劣工厂环境中稳定运行。
  在通信设备中,该芯片适用于路由器、交换机、基站模块等,作为Boot ROM或固件存储单元,支持快速启动和远程固件升级(FOTA),其Quad SPI接口满足高速数据访问需求,提升系统整体响应效率。
  消费类电子产品如智能电视、机顶盒、智能家居中枢、可穿戴设备等也普遍采用该型号,用于存储启动代码、图形资源和用户设置,其小尺寸封装有助于节省PCB空间,而低功耗特性则延长了电池寿命。
  在汽车电子方面,M58LR256KB70ZQ5Z可用于车载信息娱乐系统(IVI)、仪表盘显示模块、ADAS辅助驾驶系统的传感器固件存储,符合AEC-Q100可靠性标准的部分版本要求,能够在车辆运行中的振动、温度波动等复杂条件下保持数据完整性。
  此外,在医疗设备、测试仪器、无人机飞控系统等领域,该芯片也因其高可靠性、快速读取和良好的兼容性而被广泛采纳,是现代嵌入式系统中不可或缺的核心存储组件之一。

替代型号

M25P256
  EN25QH256
  S25FL256S

M58LR256KB70ZQ5Z推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

M58LR256KB70ZQ5Z参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量256Mb
  • 存储器组织16M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率66 MHz
  • 写周期时间 - 字,页70ns
  • 访问时间70 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 2V
  • 工作温度-30°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳88-TFBGA
  • 供应商器件封装88-TFBGA(8x10)