时间:2025/12/26 20:29:29
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30BF10TR是一款由ON Semiconductor(安森美)生产的肖特基势垒二极管阵列,采用中心抽头配置,专为高频开关电源、整流电路以及DC-DC转换器等应用设计。该器件封装在TO-277(也称为D-PAK)表面贴装封装中,具有良好的热性能和机械稳定性,适合自动化贴片生产。30BF10TR包含两个独立的肖特基二极管共阴极连接,这种结构常用于全波整流电路中,能够有效降低导通损耗并提高系统效率。由于其低正向压降和快速反向恢复特性,该器件特别适用于需要高能效和紧凑设计的电源系统。
该二极管的额定平均整流电流为30A,最大重复峰值反向电压为100V,表明其适用于中等电压、大电流的整流场合。其肖特基结结构避免了传统PN结二极管的少数载流子存储效应,因此具备极快的开关速度,几乎无反向恢复时间,从而减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰。此外,30BF10TR符合RoHS环保标准,并具备可靠的抗潮湿和抗焊接热性能,适合在严苛工业环境或汽车电子系统中长期运行。
型号:30BF10TR
制造商:ON Semiconductor
封装类型:TO-277 (D-PAK)
二极管配置:双中心抽头(Dual Center Tap)
最大重复峰值反向电压(VRRM):100V
最大直流阻断电压(VR):100V
平均整流电流(IF(AV)):30A
峰值正向浪涌电流(IFSM):150A(单个半周期,60Hz正弦波)
正向压降(VF):典型值0.52V,最大值0.6V(在IF=15A,Tc=25°C条件下)
反向漏电流(IR):最大50μA(在VR=100V,Tc=25°C);高温下最大1.0mA(Tc=125°C)
工作结温范围(TJ):-65°C 至 +150°C
储存温度范围(TSTG):-65°C 至 +150°C
热阻(RθJC):约1.0°C/W(从结到外壳)
安装方式:表面贴装(SMD)
30BF10TR的核心优势在于其采用肖特基势垒技术,实现了极低的正向导通压降和近乎零的反向恢复时间,显著提升了电源系统的整体效率。在高频率开关应用中,传统快恢复二极管由于存在较长的反向恢复时间,会导致明显的开关损耗和热量积累,而30BF10TR由于其多数载流子导电机制,完全避免了少数载流子的存储效应,因此在关断过程中不会产生反向恢复电流尖峰,极大降低了开关噪声和EMI干扰,有助于简化滤波电路设计并提升系统可靠性。此外,其低VF特性意味着在大电流工作状态下产生的导通损耗更小,有助于提高能源利用率,减少散热需求,特别适用于高密度电源模块和便携式设备。
该器件采用TO-277封装,具有较大的焊盘面积,有利于高效散热,同时支持自动贴片装配,提高了生产效率和一致性。其30A的平均整流电流能力使其能够在大功率DC-DC转换器、服务器电源、通信电源和工业电源中胜任主整流任务。双中心抽头结构使得其在全波整流拓扑中仅需一个封装即可替代多个分立二极管,节省PCB空间并简化布局布线。此外,器件具备出色的热稳定性和长期可靠性,在高温环境下仍能保持稳定的电气性能,适用于车载充电系统、太阳能逆变器和电机驱动等对耐久性要求较高的应用场景。30BF10TR还通过了AEC-Q101车规认证,表明其在汽车电子领域具备足够的质量与可靠性保障,可广泛用于引擎控制单元、车载信息娱乐系统和辅助电源模块中。
30BF10TR广泛应用于各类需要高效、大电流整流的电力电子系统中。典型应用包括开关模式电源(SMPS),尤其是大功率AC-DC和DC-DC转换器,作为输出整流级的核心元件,利用其低VF和快速响应特性提升转换效率。在通信电源系统中,该器件可用于48V转多路低压的同步整流架构中,满足高密度、高效率的供电需求。在服务器和数据中心电源模块中,30BF10TR凭借其高电流承载能力和优异热性能,常被用于多相整流电路或冗余电源设计中,确保系统长时间稳定运行。
此外,该器件也适用于工业自动化设备的电源部分,如PLC控制器、伺服驱动器和变频器,提供可靠的直流母线整流功能。在新能源领域,30BF10TR可用于太阳能微型逆变器或储能系统的DC-DC变换环节,实现高效的能量转换。由于其具备AEC-Q101认证,该器件同样适用于汽车电子系统,例如车载充电机(OBC)、DC-DC转换器、电池管理系统(BMS)以及发动机舱内的电源模块,能够在高温、振动和湿度变化等恶劣环境中保持稳定性能。此外,消费类电子产品中的大功率适配器、LED照明驱动电源等也是其潜在应用方向。
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