时间：2025/10/22 9:21:26
阅读：8
M58LR128KB70ZB5E是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的高性能、低功耗的串行NOR闪存芯片，专为需要高密度非易失性存储的应用而设计。该器件采用先进的浮栅存储技术，具备出色的可靠性与数据保持能力，适用于工业控制、汽车电子、通信设备以及消费类电子产品中对代码存储和数据记录有较高要求的场景。M58LR128KB70ZB5E提供128兆位（即16兆字节）的存储容量，采用标准的SPI（串行外设接口）和QPI（四通道串行外设接口）两种通信模式，支持高速读写操作，最大时钟频率可达70MHz，确保系统在实时性要求较高的应用中仍能保持流畅的数据访问性能。该芯片工作电压范围宽，通常为2.7V至3.6V，适合多种电源环境下的稳定运行，并内置多种保护机制，如软件写保护、硬件写保护引脚（WP#）和复位引脚（RESET#），有效防止误操作导致的数据损坏。此外，其封装形式为小型化的8引脚SOIC或WSON，有助于节省PCB空间，特别适用于空间受限的设计。M58LR128KB70ZB5E还符合RoHS环保标准，并通过AEC-Q100汽车级认证，表明其在极端温度和恶劣环境下仍能保持长期稳定工作，是汽车电子和工业应用中的理想选择之一。
型号：M58LR128KB70ZB5E
制造商：STMicroelectronics
存储类型：NOR Flash
存储容量：128 Mbit (16 MB)
接口类型：SPI, QPI
时钟频率：最高70 MHz
供电电压：2.7V ~ 3.6V
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
封装类型：8-Pin SOIC
写保护功能：支持软件与硬件写保护
复位功能：支持硬件复位引脚
数据保持时间：100年
擦写次数：100,000次
M58LR128KB70ZB5E具备多项先进特性，使其在同类串行闪存产品中脱颖而出。首先，该芯片支持标准SPI和QPI双接口模式，用户可根据系统需求灵活切换，QPI模式下可实现四线双向数据传输，显著提升吞吐率，在需要快速加载固件或执行XIP（eXecute In Place）的应用中表现优异。其次，器件内部集成了完整的保护机制，包括软件可配置的块/扇区写保护、硬件写保护引脚（WP#）以及独立的复位引脚（RESET#），可在上电、掉电或异常运行期间防止非法写入或意外擦除，保障关键数据的安全性。
该芯片采用优化的指令集架构，支持多种读取模式，如快速读取、双输出/四输出快速读取（Dual/Quad I/O）以及连续读取模式，最大限度减少CPU等待时间，提高系统响应速度。同时，M58LR128KB70ZB5E支持全芯片擦除、扇区擦除（4KB）、块擦除（64KB）等多种擦除方式，满足不同粒度的数据管理需求。其低功耗设计体现在多种工作模式中，包括主动读取模式、休眠模式和深度掉电模式，尤其在电池供电或节能型系统中可有效延长续航时间。
此外，该器件具有优异的耐久性和数据保持能力，标称擦写次数达10万次，数据保存时间长达100年，适用于长期运行且频繁更新数据的应用场景。所有电气和机械规格均经过严格测试，符合工业级和汽车级应用标准，能够在-40°C至+85°C的宽温范围内可靠工作。内置ECC（错误校正码）和CRC（循环冗余校验）功能进一步增强了数据完整性，提升了整体系统的鲁棒性。
M58LR128KB70ZB5E广泛应用于对可靠性、性能和空间效率有严苛要求的领域。在汽车电子中，常用于存储发动机控制单元（ECU）、车载信息娱乐系统（IVI）、高级驾驶辅助系统（ADAS）中的启动代码、配置参数和地图数据，得益于其AEC-Q100认证和宽温工作能力，能在复杂电磁环境和剧烈温度变化下稳定运行。在工业自动化领域，该芯片被集成于PLC控制器、HMI人机界面、工业网关等设备中，用于存储固件、日志文件和校准数据，支持工厂环境下的长时间连续运行。
通信基础设施如路由器、交换机和基站模块也大量采用此类高性能串行闪存，以实现快速启动和安全固件更新。在消费类电子产品方面，适用于智能家电、可穿戴设备和物联网终端，因其小封装和低功耗特性，非常适合空间紧凑且依赖电池供电的设计。此外，在医疗设备、测试仪器和航空航天电子系统中，M58LR128KB70ZB5E也被用作可靠的非易失性存储解决方案，满足高安全性与长生命周期的要求。其XIP功能允许处理器直接从闪存执行代码，无需将程序加载到RAM，从而降低系统成本并提升启动效率。
S25FL128SAGBHI201
IS25LP128-JBLE
