M58BW32FB4ZA3T 时间：2025/5/21 20:17:55 阅读：3

M58BW32FB4ZA3T 是一款由 Micron（美光）制造的 NAND 闪存芯片，属于 3D TLC NAND 系列。它主要用于大容量存储应用，例如固态硬盘 (SSD)、UFS 存储设备和嵌入式系统。这款芯片采用先进的 3D 构造技术，在提高存储密度的同时降低了成本，并且具备良好的可靠性和性能。
　　该型号采用了 96 层堆叠技术，单颗芯片即可提供大容量存储能力，同时支持高速数据传输和低功耗操作，非常适合需要高效率存储解决方案的应用场景。

参数

容量：32GB
　　接口类型：Toggle Mode 2.0
　　工作电压：1.8V
　　封装形式：BGA 169-ball
　　数据传输速率：最高可达 400MT/s
　　擦写寿命：约 1000 次
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储单元类型：TLC（Triple-Level Cell）
　　芯片层数：96层

特性

M58BW32FB4ZA3T 的主要特性包括：高效能的 Toggle Mode 2.0 接口支持高达 400MT/s 的数据传输速率；采用 TLC 存储单元设计，在保证成本效益的同时提供了较大的存储容量；96 层堆叠技术显著提高了存储密度并优化了性能与功耗；具有较宽的工作温度范围，适应各种环境下的使用需求；其 BGA 169 封装方式使得安装更加便捷，并且可以有效减少空间占用。
　　此外，该芯片还具备良好的耐用性，尽管 TLC 类型的擦写寿命相对较低，但对于普通消费级和商业级应用已经足够满足需求。

应用

M58BW32FB4ZA3T 主要应用于以下领域：消费类电子设备中的大容量存储解决方案，如平板电脑、智能手机和数码相机等；工业级和嵌入式系统的数据存储模块；企业级 SSD 中作为核心存储介质；UFS（Universal Flash Storage）卡和其他高性能移动存储设备；车载信息娱乐系统和 ADAS（高级驾驶辅助系统）相关的数据记录与处理装置。
　　由于其高密度存储能力和稳定性能表现，这款芯片也适合用在物联网设备、监控录像存储以及云服务相关的硬件设施中。