类型：高压半桥栅极驱动器
　　通道类型：高边驱动
　　工作电压（VDD）：10V 至 20V
　　最大耐压（VS）：600V
　　输出电流峰值：±200mA
　　输入逻辑兼容性：TTL/CMOS
　　传播延迟时间：典型值 500ns
　　上升时间（typ）：50ns
　　下降时间（typ）：50ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装形式：DIP-8
　　自举二极管集成：无
　　dV/dt 抗扰度：±50V/ns
　　输入低电平电压（VIL）：≤ 1.4V
　　输入高电平电压（VIH）：≥ 2.0V

M54687FP的核心特性之一是其高压浮动通道技术，使其能够在高达600V的母线电压下安全地驱动高边N沟道MOSFET。这种设计避免了使用P沟道MOSFET所带来的高导通电阻问题，同时提升了系统效率。该芯片采用阈值逻辑输入架构，输入端可直接连接微控制器或其他PWM控制信号源，兼容TTL和CMOS电平标准，简化了系统接口设计。其内部集成的电平移位电路能够将来自低压控制侧的输入信号准确传递到高压侧输出级，确保精确的开关时序控制。
　　另一个关键特性是内置的欠压锁定（UVLO）功能，该机制监控VCC和VB至VS之间的电压水平。当供电电压低于设定阈值时，输出将被强制拉低，防止在电源不稳定期间发生功率器件的部分导通现象，从而保护功率级免受过热或短路损害。UVLO具有迟滞特性，提高了启动过程中的稳定性。此外，M54687FP具有优异的dV/dt抗干扰能力，在高开关速率环境下仍能保持正常工作，有效抑制因快速电压变化引起的误触发。
　　该器件还优化了传播延迟匹配性能，上下两个方向的延迟差异小，有助于提高PWM控制精度，减少死区时间设计需求。输出级采用图腾柱结构，具备较强的拉电流和灌电流能力（±200mA），可快速充放电MOSFET栅极电容，降低开关损耗。尽管M54687FP本身不集成自举二极管，但推荐在外围电路中使用快速恢复二极管配合自举电容，以构建完整的高边驱动电源路径。整体来看，M54687FP以其高集成度、高可靠性、宽温工作范围和良好的驱动性能，成为中小功率开关电源中理想的高端栅极驱动解决方案。

M54687FP主要应用于各类需要高边N沟道MOSFET驱动的开关电源拓扑中。典型应用场景包括离线式反激变换器（Flyback Converter），特别是在充电器、适配器和小型电源模块中，用于驱动主开关管，提升整体能效和系统可靠性。在有源钳位正激变换器（Active Clamp Forward Converter）中，M54687FP可用于控制高侧主开关或钳位开关，实现零电压开关（ZVS），从而降低开关损耗并提高工作频率。
　　此外，该芯片也常见于LLC谐振变换器的辅助驱动电路中，尤其是在需要驱动同步整流管或辅助开关器件的场合。工业自动化设备中的DC-DC转换器、UPS不间断电源、LED恒流驱动电源以及白色家电中的变频压缩机驱动模块也广泛采用此类高压栅极驱动器。由于其DIP-8封装易于焊接和维护，M54687FP特别适用于需要手工装配或波峰焊工艺的生产环境。
　　在家用电器领域，如空调、洗衣机、冰箱等产品的变频控制系统中，M54687FP可用于PFC（功率因数校正）电路中的升压开关管驱动，帮助满足能效法规要求。同时，其高噪声抑制能力和宽工作温度范围使其在电磁干扰较严重的工业环境中依然表现稳定。综上所述，M54687FP凭借其高性能和灵活性，已成为现代高效电源系统中不可或缺的关键元器件之一。

IR2110S
　　IRS21844
　　UCC27324
　　L6387E