时间：2025/12/27 3:09:53
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M50FW080K5G是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的8兆位（Mbit）串行闪存芯片，采用先进的浮栅存储技术，专为需要高可靠性和低功耗特性的嵌入式应用设计。该器件属于高性能串行Flash产品线，支持快速读取和编程操作，适用于工业控制、汽车电子、消费类电子产品以及通信设备等领域。M50FW080K5G采用标准的SPI（串行外设接口）协议进行通信，具备良好的兼容性，能够与多种微控制器和处理器无缝对接。该芯片封装形式为小型化的8引脚SOIC或TSSOP封装，有助于节省PCB空间，特别适合对尺寸敏感的应用场景。此外，该器件工作电压范围宽，通常在2.7V至3.6V之间，确保在不同电源条件下稳定运行。其内部结构划分为多个可独立擦除的扇区，支持灵活的数据管理策略，同时提供软件和硬件写保护功能，防止关键数据被意外修改或删除。M50FW080K5G还具备出色的耐久性和数据保持能力，典型擦写次数可达10万次以上，数据保存时间超过20年，满足严苛环境下的长期使用需求。
容量：8 Mbit (1 M × 8)
电压范围：2.7V 至 3.6V
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装类型：8-pin SOIC
接口类型：SPI
时钟频率：最高支持 50 MHz
读取电流：典型值 5 mA
待机电流：典型值 1 μA
编程时间：字节编程典型时间 30 μs
块擦除时间：4 KByte扇区擦除典型时间 40 ms
写保护功能：支持软件及硬件WP引脚保护
可靠性：擦写次数 ≥ 100,000 次
数据保持：≥ 20 年
M50FW080K5G具备多项先进特性，使其在同类串行Flash产品中脱颖而出。首先，它采用高效的SPI接口架构，支持标准模式下的单I/O通信，包括指令、地址和数据传输均通过串行方式完成，显著减少了引脚数量和系统布线复杂度。该芯片支持多种SPI操作模式（Mode 0和Mode 3），允许用户根据主控设备的配置选择最合适的通信时序，提升了系统的灵活性与兼容性。
其次，该器件内置了多层次的写保护机制，包括软件指令锁定位和硬件写保护引脚（WP#）。通过设置状态寄存器中的特定比特位，可以实现对部分或全部存储区域的写入锁定，有效防止程序误操作导致固件损坏。硬件WP#引脚可在外部电平控制下动态启用或禁用写保护功能，适用于需要频繁更新又需保障安全区域的应用场景。
再者，M50FW080K5G具有优异的耐久性与数据保持能力。每个存储单元可承受至少10万次的编程/擦除循环，在极端温度环境下仍能维持稳定性能。数据保存时间长达20年以上，即使在高温高湿环境中也能确保信息完整性，适用于工业级和汽车级应用。
此外，该芯片支持全芯片擦除和按扇区擦除（4 KByte、32 KByte、64 KByte等），便于实现精细的数据管理策略。其低功耗设计使其在主动读取、编程和待机状态下均表现出色，尤其适合电池供电或绿色节能型设备。内置上电复位电路和电压监控功能，确保在电源不稳定时自动进入保护状态，避免异常写入操作。
M50FW080K5G广泛应用于需要非易失性存储的各类电子系统中。常见用途包括工业自动化控制系统中的固件存储，用于保存PLC程序代码或配置参数；在汽车电子领域，可用于车载仪表盘、ECU模块或ADAS系统的启动代码存储；在消费类电子产品如智能家电、路由器、机顶盒中，作为操作系统或用户设置的存储介质；在通信设备中，用于存储网络协议栈或设备校准数据。此外，由于其高可靠性与宽温特性，也适用于医疗仪器、测试测量设备和安防监控系统等对稳定性要求较高的场合。其小封装和低引脚数特点，使其成为空间受限应用的理想选择。
M25P80, M25PX80, S25FL008A, EN25F80
