M50747-4A5SP是一款由日本三菱电机(Mitsubishi Electric)生产的高性能、低功耗CMOS型运算放大器集成电路,广泛应用于工业控制、信号调理、音频处理以及消费类电子产品中。该器件采用双列直插式塑料封装(DIP),适用于通孔安装工艺,具备良好的热稳定性和抗干扰能力。M50747-4A5SP属于通用型运放系列,但其在输入偏置电流、失调电压和共模抑制比方面的优化设计,使其在精密模拟信号处理场合表现出色。该芯片内部集成了频率补偿电路,无需外部相位补偿即可稳定工作,简化了外围电路设计。同时,它支持宽电源电压范围,能够在单电源或双电源模式下运行,增强了系统的灵活性与适应性。由于其高可靠性和长期供货稳定性,M50747-4A5SP曾被广泛用于自动化设备、测量仪器及通信系统中。需要注意的是,随着半导体技术的发展,部分老型号可能已逐步进入停产或替代阶段,建议在新设计中评估更新的替代方案以确保供应链的可持续性。
型号:M50747-4A5SP
制造商:Mitsubishi Electric
封装类型:DIP-8
通道数:4
工作温度范围:-25°C 至 +85°C
电源电压范围(单电源):3V 至 16V
电源电压范围(双电源):±1.5V 至 ±8V
输入失调电压:典型值 2mV,最大值 7mV
输入偏置电流:典型值 30pA
增益带宽积(GBW):典型值 3MHz
转换速率(Slew Rate):典型值 1.3V/μs
共模抑制比(CMRR):典型值 90dB
电源抑制比(PSRR):典型值 90dB
输出电流:±20mA
静态电流:每通道典型值 1.2mA
工作结温范围:-40°C 至 +125°C
引脚数量:8
M50747-4A5SP具备多项优异的技术特性,使其在多通道模拟信号处理应用中表现卓越。首先,其极低的输入偏置电流(典型值仅为30pA)表明该器件采用了基于CMOS输入级的设计架构,这种结构特别适合高阻抗信号源的应用场景,例如传感器信号放大、光电二极管前置放大等,能够有效减少因输入电流引起的误差,提高系统的测量精度。
其次,该芯片具有良好的直流精度性能,输入失调电压的最大值为7mV,在未进行外部调零的情况下仍能满足多数通用模拟电路的需求。结合高达90dB的共模抑制比和电源抑制比,M50747-4A5SP能够在存在较强电磁干扰或电源波动的工业环境中保持稳定的放大性能,确保信号完整性。此外,3MHz的增益带宽积和1.3V/μs的压摆率使其适用于中频信号处理,如音频滤波、有源滤波器构建以及脉冲信号调理等应用。
另一个显著特点是其集成度高,内部包含四个独立的运算放大器单元,共享同一封装,极大节省了PCB布局空间并降低了系统成本。每个放大器均可独立使用,支持反相、同相、差分及电压跟随等多种经典配置方式。同时,器件内置频率补偿网络,避免了额外添加补偿电容的复杂性,提升了设计效率和系统稳定性。
在供电方面,M50747-4A5SP支持宽范围的单电源(3V~16V)或双电源(±1.5V~±8V)供电模式,适应性强,可用于便携式设备中的电池供电系统,也可用于固定式工业控制系统。其每通道静态电流仅为1.2mA,整体功耗较低,有助于延长电池寿命并减少散热需求。综合来看,这些特性使M50747-4A5SP成为一款兼具精度、稳定性与集成优势的多用途运放解决方案。
M50747-4A5SP因其四通道集成结构、低功耗特性和优良的模拟性能,被广泛应用于多个电子系统领域。在工业自动化控制系统中,常用于各类传感器信号的前端调理,例如温度、压力、湿度等非电量经传感器转换后的微弱电压信号放大,配合ADC实现高精度数据采集。其高输入阻抗和低偏置电流特性特别适合连接高输出阻抗的传感器元件,如热电偶、应变片和离子选择性电极等。
在测试与测量仪器中,该芯片可用于构建有源滤波器、积分器、微分器、电压比较器等功能模块,提升仪器的响应速度与测量准确性。例如,在示波器或数据记录仪中作为缓冲放大器使用,可有效隔离前后级电路,防止负载效应影响原始信号。
在消费类电子产品中,M50747-4A5SP也常见于音频信号处理电路,如前置放大、音调控制、均衡调节等环节,其低噪声和良好线性度有助于提升音质表现。此外,在通信设备中,可用于小信号放大和滤波处理,尤其是在低频段的信号链路中发挥重要作用。
由于其DIP-8封装易于手工焊接和原型开发,该器件还广泛用于教育实验平台、电子竞赛项目以及研发阶段的样机验证。尽管当前已有更先进的表面贴装器件推出,但在维修替换、老旧设备维护以及对通孔器件有特殊要求的场景下,M50747-4A5SP依然具有不可替代的价值。
MC14573CP
MCP6004-I/P
LMC7101AIM5X/NOPB
TLC274ACN