时间：2025/3/25 11:51:53
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M50011DRDK-R 是一款高性能的功率晶体管，属于 MOSFET 类型。该器件采用先进的制造工艺，能够提供高效率和低导通电阻的特性。其广泛应用于电源管理、电机驱动、开关电源等领域。
该器件支持大电流和高电压操作，具备快速开关速度和优秀的热性能。由于其出色的电气特性和可靠性，M50011DRDK-R 成为许多设计中的首选解决方案。
类型：MOSFET
封装：TO-220
最大漏源电压（Vds）：600V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：8A
导通电阻（Rds(on)）：0.6Ω
总功耗（Ptot）：140W
工作结温范围（Tj）：-55℃ 至 +175℃
存储温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 高耐压能力：高达600V的漏源电压使其适用于高压环境。
2. 低导通电阻：在典型条件下仅为0.6Ω，有助于降低功率损耗。
3. 快速开关速度：确保高效运行，减少开关损耗。
4. 热稳定性强：能够承受较高的工作结温范围，适应各种恶劣条件。
5. 可靠性高：经过严格测试，适合长时间运行的关键应用。
1. 开关电源（SMPS）：
- DC-DC转换器
- AC-DC适配器
2. 电机驱动：
- 无刷直流电机控制
- 步进电机驱动
3. 工业设备：
- 逆变器
- 不间断电源（UPS）
4. 汽车电子：
- 电动车窗
- 座椅调节系统
5. 其他：
- 继电器替代
- 固态继电器
M50011GPDK-R
M50011GQDK-R
