类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流 (Id)：24A
　　漏极-源极击穿电压 (Vds)：200V
　　栅极-源极电压 (Vgs)：±20V
　　导通电阻 (Rds(on))：0.18Ω（最大）
　　功率耗散 (Pd)：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220

M4S24HAW 的主要特性之一是其高击穿电压能力，Vds 高达 200V，这使得该器件非常适合在高压环境中使用，例如在工业电源和高电压转换器中。此外，其低导通电阻 Rds(on) 最大为 0.18Ω，能够显著减少导通损耗，从而提高系统的整体效率。这种低电阻特性也有助于降低 MOSFET 在工作时的温度上升，从而提高器件的可靠性和寿命。
　　该 MOSFET 还具有较高的栅极-源极电压容限，最大为 ±20V，这使其在复杂的驱动条件下依然能够保持稳定工作，避免因过高的栅极电压而导致的损坏。此外，M4S24HAW 的漏极电流额定值为 24A，能够在大电流负载下稳定运行，适用于需要高电流处理能力的应用，如电机驱动和高功率负载开关。
　　在封装方面，M4S24HAW 通常采用 TO-220 封装，这种封装形式具有良好的散热性能，有助于在高功率应用中有效管理热量。TO-220 封装也便于安装在散热片上，从而进一步提高散热效率。此外，该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，能够在各种环境条件下稳定运行，适合工业级和消费级应用。
　　从可靠性角度来看，M4S24HAW 采用了 MagnaChip 的先进功率 MOSFET 工艺技术，确保了器件在长时间运行中的稳定性和耐久性。该 MOSFET 具有优异的热稳定性和抗静电能力，能够在恶劣的工作环境中保持高性能运行。因此，M4S24HAW 在电源管理和功率控制应用中具有广泛的应用前景，为工程师提供了高效、可靠的设计解决方案。

M4S24HAW 广泛应用于多个领域，包括工业电源、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器和电源管理系统。在工业电源设计中，该 MOSFET 可用于高效的电压调节和功率转换，确保系统在高电压和大电流条件下稳定运行。此外，在 DC-DC 转换器中，M4S24HAW 可以提供高效的能量转换，减少功率损耗并提高系统效率。
　　在负载开关应用中，M4S24HAW 可用于控制高功率负载的开启和关闭，例如 LED 照明、加热元件和风扇等。其高电流处理能力和低导通电阻使其成为此类应用的理想选择。此外，在电机控制系统中，M4S24HAW 可用于驱动直流电机，提供稳定的电流控制和高效的功率传输。
　　在消费类电子产品中，M4S24HAW 也广泛用于电源管理和电池供电设备中。例如，在笔记本电脑、平板电脑和智能家电中，该 MOSFET 可用于高效电源转换和功率管理，确保设备在各种工作条件下都能获得稳定的电源供应。此外，在电动车和储能系统中，M4S24HAW 也可用于电池管理系统和功率转换模块，提供高效的能量管理解决方案。

IRF150, FDP24N20, STP24N20D, 2SK3564