M48Z58Y70PC1 是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款非易失性静态随机存取存储器(NVSRAM)芯片。这款器件集成了SRAM和EEPROM技术,具备高速读写能力和非易失性存储特性,适用于需要数据保留和快速访问的应用场景。M48Z58Y70PC1 采用先进的制造工艺,具有高可靠性和长寿命,适合在工业控制、通信设备和医疗仪器等关键领域使用。
容量:8 Kbit(1K x 8)
工作电压:4.5V 至 5.5V
最大访问时间:70 ns
封装类型:28引脚 PDIP
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装材料:塑料
存储器类型:NVSRAM
数据保持时间:10年(典型值)
读取周期时间:70 ns
写入周期时间:70 ns
M48Z58Y70PC1 的主要特性之一是其非易失性存储能力,能够在断电情况下保持数据不丢失。该芯片内置自动存储器切换功能,确保在电源故障或系统关闭时数据能够自动保存到EEPROM中,从而避免数据丢失。此外,M48Z58Y70PC1 支持高速读写操作,访问时间仅为70 ns,能够满足实时系统对数据存取速度的要求。芯片采用CMOS技术,功耗低,适合在电池供电或低功耗应用中使用。其28引脚PDIP封装形式便于安装和更换,广泛应用于各种工业和通信设备中。M48Z58Y70PC1 还具备高抗干扰能力和良好的温度适应性,能够在恶劣环境中稳定工作。
此外,该芯片支持软件和硬件控制的数据存储和恢复功能,用户可以通过特定指令或硬件信号触发数据保存操作。M48Z58Y70PC1 提供了多种保护机制,防止意外写入和数据损坏,确保数据的完整性和可靠性。
M48Z58Y70PC1 广泛应用于需要非易失性存储和高速数据访问的场景。常见的应用包括工业控制系统中的数据缓冲和存储、通信设备中的配置信息保存、医疗仪器中的患者数据记录、测量设备中的校准数据存储等。此外,该芯片也适用于智能电表、安防系统、自动化设备和嵌入式系统等领域,为这些应用提供可靠的数据存储解决方案。
M48Z58Y70PC1的替代型号包括M48Z58Y70PC1-5B6T、M48Z58Y-70PC1和M48Z58B70PC1。这些型号在功能和性能上相似,可根据具体需求进行选择。