容量：8 Kbit（1K x 8）
　　工作电压：4.5V 至 5.5V
　　最大访问时间：70 ns
　　封装类型：28引脚 PDIP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装材料：塑料
　　存储器类型：NVSRAM
　　数据保持时间：10年（典型值）
　　读取周期时间：70 ns
　　写入周期时间：70 ns

M48Z58Y70PC1 的主要特性之一是其非易失性存储能力，能够在断电情况下保持数据不丢失。该芯片内置自动存储器切换功能，确保在电源故障或系统关闭时数据能够自动保存到EEPROM中，从而避免数据丢失。此外，M48Z58Y70PC1 支持高速读写操作，访问时间仅为70 ns，能够满足实时系统对数据存取速度的要求。芯片采用CMOS技术，功耗低，适合在电池供电或低功耗应用中使用。其28引脚PDIP封装形式便于安装和更换，广泛应用于各种工业和通信设备中。M48Z58Y70PC1 还具备高抗干扰能力和良好的温度适应性，能够在恶劣环境中稳定工作。
　　此外，该芯片支持软件和硬件控制的数据存储和恢复功能，用户可以通过特定指令或硬件信号触发数据保存操作。M48Z58Y70PC1 提供了多种保护机制，防止意外写入和数据损坏，确保数据的完整性和可靠性。

M48Z58Y70PC1 广泛应用于需要非易失性存储和高速数据访问的场景。常见的应用包括工业控制系统中的数据缓冲和存储、通信设备中的配置信息保存、医疗仪器中的患者数据记录、测量设备中的校准数据存储等。此外，该芯片也适用于智能电表、安防系统、自动化设备和嵌入式系统等领域，为这些应用提供可靠的数据存储解决方案。

M48Z58Y70PC1的替代型号包括M48Z58Y70PC1-5B6T、M48Z58Y-70PC1和M48Z58B70PC1。这些型号在功能和性能上相似，可根据具体需求进行选择。