型号：M378A1K43CB2-CTD
　　制造商：Samsung
　　内存类型：DDR3L SDRAM
　　模组类型：Mini DIMM
　　容量：8GB (64Gbit)
　　组织结构：512M x 16
　　电压：1.35V ± 0.1V
　　数据传输率：1600 MT/s
　　时钟频率：800MHz（有效1600MHz DDR）
　　工作温度：0°C 至 95°C（TSOP 工作结温范围）
　　封装形式：微型双列直插式（Mini DIMM）
　　引脚数：204-pin
　　兼容标准：JEDEC DDR3L 规范
　　带宽：PC3L-12800
　　刷新模式：自动刷新 / 自刷新
　　支持功能：ODT, TCSR, PASR, DLL

M378A1K43CB2-CTD 具备多项先进的技术特性，使其在低功耗、高性能和高可靠性方面表现出色。首先，其采用DDR3L（Low Voltage）标准，工作电压仅为1.35V，相比传统DDR3的1.5V降低了约13%的功耗，在长时间运行或电池供电的应用中可显著延长续航时间并减少发热，这对笔记本电脑、超极本及嵌入式工控设备尤为重要。其次，该模组支持1600MT/s的数据传输速率，提供高达12.8GB/s的峰值带宽（在64位总线宽度下），足以满足大多数中高端处理器对内存吞吐量的需求，确保系统在多任务处理、大型软件运行和高清视频播放等场景下的流畅体验。
　　该芯片内部采用先进的制造工艺，具备优良的电气特性和热稳定性，支持温度补偿自刷新（TCSR）功能，可根据实际工作温度动态调整刷新周期，在高温环境下增加刷新频率以保障数据完整性，而在低温时则适当延长刷新间隔以节约能耗。同时支持部分阵列自刷新（PASR），允许用户选择性地关闭未使用的内存区域进行自刷新，进一步降低待机状态下的功耗。
　　另外，M378A1K43CB2-CTD 集成了片上终端电阻（ODT），可在读写操作期间自动启用终端匹配，有效抑制信号反射和噪声干扰，提升高速信号传输的稳定性和抗干扰能力，尤其在高频工作状态下表现突出。内置延迟锁定环（DLL）电路用于精确同步内部时钟与外部参考时钟，确保数据采样的准确性与时序一致性。所有这些特性共同保障了该内存模组在复杂电磁环境和严苛工作条件下的可靠运行。

M378A1K43CB2-CTD 主要应用于需要高性能、低功耗和紧凑尺寸内存解决方案的各类电子设备中。最常见的使用场景是笔记本电脑和超轻薄型笔记本（Ultrabook），特别是在追求长续航与高效能平衡的产品设计中，该DDR3L Mini DIMM模组因其低电压特性和高集成度而被广泛采用。此外，它也常见于工业控制计算机（IPC）、嵌入式主板、POS终端、医疗成像设备、车载信息娱乐系统以及网络通信设备如路由器、交换机等对稳定性与环境适应性要求较高的领域。
　　在一些高端消费类电子产品中，例如数字标牌、智能电视盒子或高性能平板电脑，若采用x86架构处理器且需要扩展内存容量，也可能选用此类标准兼容的Mini DIMM模组。由于其符合JEDEC国际标准，因此具备良好的平台兼容性，能够适配多种支持DDR3L-1600规格的芯片组，包括Intel的HM系列、AMD的嵌入式APU平台以及其他支持低电压内存的SoC方案。
　　值得注意的是，尽管DDR4和DDR5已成为主流，但在许多仍在维护和生产的旧款或专用设备中，DDR3L仍具有不可替代的地位，M378A1K43CB2-CTD作为一款成熟可靠的内存产品，持续在售后替换市场和工业备件供应中发挥重要作用。

M378B5273CH0-CH9
　　M378B5673EBH-CF8
　　KVR16LS11/8