时间：2025/12/27 10:21:50
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MBPK3225H3R3M是一款由SimmTech或类似厂商生产的多层片式铁氧体磁珠（Ferrite Bead），主要用于高频电路中的噪声抑制和电磁干扰（EMI）滤波。该器件属于表面贴装型（SMD）元件，封装尺寸通常为3225（即3.2mm x 2.5mm），适用于高密度布局的现代电子设备。其型号中的“3R3”表示标称直流电阻（DCR）为3.3Ω，“M”代表精度等级（一般为±20%），而“H”可能指示其阻抗特性或产品系列。作为磁珠，MBPK3225H3R3M在高频下呈现高阻抗特性，能够有效吸收并衰减高频噪声，同时对直流或低频信号保持较低损耗，从而保障电源完整性与信号质量。该器件广泛应用于便携式消费类电子产品、通信模块、射频系统以及高速数字电路中，是实现电磁兼容性（EMC）设计的关键元件之一。
产品类型：磁珠
封装/外壳：3225
阻抗@频率：600Ω @ 100MHz
额定电流：300mA
直流电阻(DCR)：3.3Ω ±20%
工作温度范围：-40°C ~ +125°C
最小包装规格：2000个/盘
电感值：无（纯阻性高频滤波）
耐压值：通常5V~25V（依具体应用而定）
磁珠MBPK3225H3R3M的核心功能是在特定频率范围内提供高效的噪声抑制能力，其关键特性源于材料科学与精密制造工艺的结合。该器件采用多层陶瓷与镍锌（NiZn）或锰锌（MnZn）铁氧体复合材料结构，在烧结过程中形成高度一致的磁性层，确保了稳定的高频响应性能。在100MHz频率点上，该磁珠可提供高达600Ω的阻抗，这意味着它能将高频共模噪声转化为热能进行消耗，而不是像电感那样储存能量再释放，因此不会引起谐振问题，也不会对信号完整性造成负面影响。
该器件具备较低的直流电阻（仅3.3Ω），使得其在串联于电源路径时引入的电压降和功率损耗极小，特别适合用于对功耗敏感的应用场景，如移动终端、可穿戴设备及电池供电系统。此外，其额定电流可达300mA，足以支持大多数低至中等电流负载的电源去耦需求。由于采用SMD表面贴装封装，MBPK3225H3R3M具有良好的机械稳定性和焊接可靠性，便于自动化贴片生产，并可在回流焊工艺中保持性能一致性。
MBPK3225H3R3M的工作温度范围宽达-40°C至+125°C，满足工业级和汽车级应用的环境要求，具备较强的环境适应能力。其频率响应曲线平滑，阻抗峰值出现在数百MHz区间，适用于抑制开关电源产生的高频纹波、数字电路切换噪声以及射频串扰等常见干扰源。通过合理选型和PCB布局配合，该磁珠可显著提升系统的EMI/EMC表现，帮助产品通过相关认证测试，如FCC、CE等。
MBPK3225H3R3M磁珠广泛应用于需要高效高频滤波和噪声抑制的电子系统中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和智能手表，其中用于隔离不同电源域之间的噪声耦合，例如为RF模块、Wi-Fi/BT芯片或摄像头模组提供干净的供电路径。在通信设备中，该磁珠常被部署于高速数据线路（如USB、HDMI、MIPI）的电源引脚处，以防止高频噪声通过电源线传播进而影响信号质量。
在嵌入式控制系统和微控制器单元（MCU）电路中，MBPK3225H3R3M可用于VDD去耦，抑制来自开关稳压器或其他数字逻辑电路的传导噪声，从而提高ADC/DAC转换精度和系统稳定性。此外，在汽车电子领域，如车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块中，该磁珠有助于满足严格的EMC法规要求，避免因电磁干扰导致的功能异常。
该器件也适用于工业控制板、物联网节点、无线充电模块以及小型化电源管理单元。凭借其小尺寸、高性能的特点，MBPK3225H3R3M成为现代高集成度电路设计中不可或缺的被动元件之一，尤其适合空间受限但对电气性能有较高要求的设计方案。
BLM21PG600TN1
DLW32MH600XK2
SRN3225-3R3Y
