M3030RFGPFP#U3 是一款基于 Infineon 第 7 代 TRENCHSTOP IGBT 技术的功率模块,采用半桥拓扑结构设计。该模块专为工业应用中的高效率和高可靠性而优化,适用于逆变器、变频器以及不间断电源(UPS)等场景。其内部集成了快速恢复二极管(FWD),能够有效降低开关损耗并提高系统性能。
该模块使用 Direct Press Contact (DPC) 技术,提供卓越的热性能和电气性能,并通过陶瓷基板实现电气隔离。此外,其紧凑的封装形式有助于简化设计并减少整体系统的体积。
额定电压:1200V
额定电流:300A
开关频率范围:高达 10kHz
结温范围:-40°C 至 +175°C
绝缘方式:陶瓷基板
封装类型:RF GP FP
1. 高效的 TRENCHSTOP IGBT 技术显著降低了导通和开关损耗,提升了整体效率。
2. 内置快速恢复二极管(FWD)具有低反向恢复电荷(Qrr),从而减少了开关过程中的能量损失。
3. Direct Press Contact (DPC) 技术确保了卓越的热管理和机械稳定性。
4. 优异的短路耐受能力延长了器件的使用寿命。
5. 封装设计紧凑,适合高密度功率应用。
6. 宽工作温度范围适应多种恶劣环境条件。
M3030RFGPFP#U3 广泛应用于以下领域:
1. 工业驱动设备中的变频器和伺服驱动器。
2. 太阳能逆变器及其他可再生能源转换系统。
3. 不间断电源(UPS)及电池储能系统。
4. 焊接设备和其他需要高效功率转换的工业设备。
5. 电动汽车充电站及相关基础设施。
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