M3005ER 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)推出的 N 沟道功率 MOSFET,主要用于高效率功率转换应用。该器件采用先进的技术,具有较低的导通电阻(Rds(on))和较高的功率处理能力,适用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场景。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds):500V
最大漏极电流(Id):5A(连续)
导通电阻(Rds(on)):1.2Ω(最大)
栅极阈值电压(Vgs(th)):2V~4V
最大功率耗散(Ptot):50W
封装类型:TO-220
M3005ER 采用了先进的平面条形 DMOS 技术,具有优异的热稳定性和耐久性。该器件的低导通电阻有助于减少导通损耗,提高整体系统效率。此外,M3005ER 具有较高的雪崩能量承受能力,能够在瞬态过压情况下保持稳定运行,从而提升系统的可靠性。
其封装形式(TO-220)具有良好的散热性能,适用于中高功率应用。该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽,可在 10V~20V 之间正常工作,兼容多种驱动电路设计。
该器件还具有快速开关特性,减少开关过程中的能量损耗,使其适用于高频开关电源应用。此外,M3005ER 的封装设计符合 RoHS 标准,适合环保型电子产品制造。
M3005ER 广泛应用于各种电力电子系统中,包括开关电源、DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关、电机驱动器和工业自动化设备。其高耐压和中等电流能力使其成为中小功率电源设计的理想选择。
在开关电源中,M3005ER 可用于初级侧开关,实现高效的 AC-DC 或 DC-DC 转换。在电池管理系统中,该器件可作为充放电控制开关,确保电池组的安全运行。此外,M3005ER 也适用于 LED 照明驱动电路、智能电表和家用电器等消费类电子设备。
STP5NK50Z, FQP5N50C, IRF840