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M29F080D70M6 发布时间 时间:2025/7/22 23:41:11 查看 阅读:10

M29F080D70M6是一款由STMicroelectronics制造的闪存芯片,属于NOR闪存类型。该芯片具有8Mbit的存储容量,采用55nm工艺制造,支持快速读取和编程操作。M29F080D70M6广泛应用于需要高可靠性和持久存储的嵌入式系统中,例如工业控制、汽车电子、通信设备等领域。该芯片采用TSOP封装,工作温度范围宽,适应各种恶劣环境。

参数

存储容量:8Mbit
  存储器类型:NOR Flash
  工艺技术:55nm
  封装类型:TSOP
  工作电压:2.3V至3.6V
  读取访问时间:70ns
  工作温度范围:-40°C至+85°C

特性

M29F080D70M6 NOR闪存芯片提供高性能和高可靠性,适合各种嵌入式应用。其8Mbit的存储容量能够满足大多数固件和程序存储需求,而55nm的制造工艺确保了低功耗和高稳定性。该芯片支持快速的读取访问时间,为70ns,适用于需要快速启动和高效数据处理的应用场景。此外,M29F080D70M6的工作电压范围较宽,从2.3V到3.6V,使其能够适应不同的电源设计要求。TSOP封装形式不仅减小了芯片的体积,还提高了抗干扰能力,增强了在复杂环境下的稳定性。其宽工作温度范围(-40°C至+85°C)使该芯片适用于工业级和汽车级应用,确保在极端温度条件下的可靠运行。

应用

M29F080D70M6广泛应用于嵌入式系统中,包括工业控制设备、汽车电子模块、通信设备、消费类电子产品以及智能卡终端等。在工业自动化设备中,该芯片可用于存储控制程序和关键数据,确保设备在恶劣环境下稳定运行。在汽车电子领域,M29F080D70M6可用于车载导航系统、车身控制模块和车载娱乐系统,满足汽车对高可靠性和耐温性能的要求。此外,在通信设备中,该芯片可作为固件存储介质,支持路由器、交换机等设备的快速启动和稳定运行。

替代型号

M29F080B60M1, M29F080B60N6, M29F080B70N6

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M29F080D70M6参数

  • 标准包装16
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器闪存
  • 存储器类型闪存 - 或非
  • 存储容量8M(1M x 8)
  • 速度70ns
  • 接口并联
  • 电源电压4.5 V ~ 5.5 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳44-SOIC(0.525",13.34mm 宽)
  • 供应商设备封装44-SO
  • 包装管件