时间：2025/4/29 10:05:13
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ISC060N10NM6 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，专为高效率、高频率开关应用设计。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻和快速开关速度，非常适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用领域。
ISC060N10NM6 的封装形式为 SOT-23-3L，这种小型化封装使其非常适合对空间有严格要求的设计场景。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：0.48A
导通电阻（典型值）：0.6Ω
栅极电荷：3nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：SOT-23-3L
ISC060N10NM6 具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，在满载条件下可有效降低功耗并提高整体系统效率。
2. 快速的开关性能确保了其在高频应用场景下的卓越表现，同时减少了开关损耗。
3. 高耐压能力（100V），能够适应多种不同的电路环境，增强了设计灵活性。
4. 小型化的 SOT-23-3L 封装形式不仅节省了 PCB 空间，还提高了热性能。
5. 宽工作温度范围（-55℃ 至 +150℃），保证了器件在极端条件下的可靠运行。
ISC060N10NM6 广泛应用于各种电子设备中，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和初级开关管。
2. DC-DC 转换器中的高频开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 移动设备和便携式电子产品中的功率管理模块。
6. 工业自动化和汽车电子领域的功率控制单元。
IRF7409, FDS6670A, BSS138
