M28W640FSB7OZA6E 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款并行接口闪存(Flash Memory)芯片。该器件属于高性能、低功耗的CMOS闪存存储器,适用于嵌入式系统、工业控制、汽车电子以及通信设备等需要非易失性存储的应用场景。这款芯片的容量为64 Mbit(8MB),采用并行地址/数据总线接口,便于与各种微控制器和处理器直接连接。
容量:64 Mbit (8MB)
接口类型:并行异步接口
电压范围:2.7V - 3.6V
访问时间:70ns(最大)
封装类型:TSOP/PLCC
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
读取电流(典型值):10mA
待机电流(典型值):10μA
编程/擦除电压:内部电荷泵提供
擦除块大小:不同配置支持不同块大小
编程页大小:约256字节或更大
M28W640FSB7OZA6E 具备多种高性能特性,使其适用于广泛的应用场景。
首先,该芯片采用先进的CMOS工艺制造,具有低功耗设计,支持待机模式以降低系统功耗,非常适合电池供电或对功耗敏感的设备。其宽电压范围(2.7V - 3.6V)使其兼容多种电源设计,并具备较强的电压波动适应能力。
其次,M28W640FSB7OZA6E 提供高速并行接口,访问时间低至70ns,支持快速读取和写入操作,可满足嵌入式系统中对存储器访问速度的要求。其接口设计兼容多种标准微控制器,简化了硬件连接和软件驱动开发。
该芯片支持灵活的擦除和编程功能,包括块擦除、扇区擦除和全片擦除功能,便于用户根据应用需求进行数据管理。此外,其内置的错误校验和编程保护机制确保数据写入的可靠性,并延长存储器的使用寿命。
在封装方面,该芯片采用小型TSOP或PLCC封装,适用于空间受限的电路设计。其宽温工作范围(-40°C 至 +85°C)使其适用于工业和汽车环境,具备良好的环境适应性和稳定性。
最后,该芯片集成了多种保护机制,如软件数据锁定和硬件写保护引脚,防止误写入或意外擦除,从而提高系统安全性。
M28W640FSB7OZA6E 主要用于需要非易失性存储器的各种嵌入式系统和工业电子设备中。
在工业控制领域,该芯片可用于存储固件、参数配置和运行日志,例如在PLC(可编程逻辑控制器)、智能传感器和工业人机界面设备中。其高速访问和低功耗特性有助于提升系统响应速度并延长设备运行时间。
在汽车电子方面,M28W640FSB7OZA6E 适用于车载导航系统、仪表盘控制模块和车身控制单元(BCM)。其宽温特性和高可靠性满足汽车环境中对存储器的严格要求。
通信设备如路由器、交换机和基站控制器也常使用该芯片存储启动代码、配置信息和临时数据。其并行接口设计与许多嵌入式处理器兼容,易于集成到现有系统架构中。
此外,该芯片还适用于消费类电子产品,如智能家电、手持设备和安防监控系统,提供稳定可靠的数据存储方案。
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"M28W640FCB7OZA6",
"M28W640F8B7OZA6",
"S29GL064S11TFI02",
"MCF54415_FLASH"
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