容量：16 Mbit（2 MB）
　　组织结构：256 K × 64位
　　工艺技术：浮栅Flash技术
　　电源电压：2.7 V 至 3.6 V
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　存储温度：-65°C 至 +150°C
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　封装类型：48-ball FBGA（6 × 8 mm）
　　引脚间距：0.8 mm
　　访问时间：70 ns
　　读取电流：典型值 25 mA
　　待机电流：典型值 10 μA
　　编程/擦除耐久性：100,000 次循环
　　数据保持时间：超过 20 年
　　接口类型：并行异步接口
　　地址/数据复用：是
　　写保护功能：硬件WP引脚支持
　　擦除方式：扇区擦除、块擦除、整片擦除
　　编程方式：字编程
　　总线宽度：x8/x16可配置

M28W160FSB70ZA6E具备多项先进特性，使其在嵌入式非易失性存储应用中表现出色。首先，该芯片采用高性能的NOR Flash架构，支持快速随机读取，访问时间低至70ns，能够在无需将程序代码复制到RAM的情况下直接执行，显著提升了系统的启动速度和运行效率。这种XIP（eXecute In Place）能力特别适用于实时性要求高的工业控制和通信设备。其次，该器件具备灵活的存储组织结构，分为64个扇区，每个扇区大小为32KB，允许用户进行精细的擦除和编程操作，便于实现固件更新、参数存储和日志记录等功能。同时，支持整片擦除和块擦除模式，满足不同应用场景下的管理需求。
　　该芯片内置智能算法控制电路，包括自动定时编程和自动定时擦除功能，有效减少了外部控制器的负担，提高了写入操作的可靠性。其内部电荷泵可在单电源供电下生成所需的高压编程信号，无需额外提供Vpp编程电压，简化了系统电源设计。此外，M28W160FSB70ZA6E集成了硬件写保护机制，通过WP引脚实现对特定扇区或整个芯片的写保护，防止在电源不稳定或系统异常时发生误操作，保障关键数据的安全。
　　在可靠性方面，该器件经过严格测试，支持10万次以上的编程/擦除周期，并保证在断电情况下数据保存超过20年，满足工业和汽车级应用的长期稳定运行需求。其低功耗特性也十分突出，在正常读取模式下电流仅为25mA，待机模式下可降至10μA以下，适合电池供电或绿色节能设备使用。封装上采用紧凑型48-ball FBGA，尺寸为6mm × 8mm，节省PCB空间，同时具备良好的热性能和电气性能，适合高密度布局设计。整体而言，M28W160FSB70ZA6E是一款集高性能、高可靠性和低功耗于一体的工业级NOR Flash解决方案。

M28W160FSB70ZA6E广泛应用于多种需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。在工业自动化领域，常用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和工业网关中，用于存储操作系统、应用程序代码和配置参数。由于其支持XIP功能，能够在不加载到RAM的情况下直接运行程序，因此特别适合资源有限的嵌入式处理器系统。在网络与通信设备中，如路由器、交换机和基站控制模块，该芯片用于存放引导程序（Bootloader）、固件映像和运行日志，确保设备在断电后仍能可靠启动和恢复。
　　在汽车电子系统中，M28W160FSB70ZA6E可用于车载信息娱乐系统、仪表盘控制单元和ADAS（高级驾驶辅助系统）模块，存储图形资源、控制算法和校准数据。其宽温工作范围（-40°C至+85°C）和高抗干扰能力使其适应复杂多变的车载环境。消费类电子产品如智能家电、打印机和多媒体播放器也常采用该芯片进行菜单界面存储和用户设置保存。
　　此外，医疗设备、测试仪器和POS终端等对数据完整性要求较高的设备也选用该器件作为主存储方案。其硬件写保护和高耐久性擦写能力，确保关键数据不会因意外断电或频繁更新而丢失。总体来看，M28W160FSB70ZA6E凭借其稳定的性能和广泛的兼容性，成为多种高端嵌入式系统中的理想选择。

M28W160ECT
　　M28W160FCT
　　S29GL128P
　　MT28EW160A