类型：并行NOR Flash
　　容量：16 Mbit (2 MB)
　　组织结构：2,097,152 x 8位
　　工艺技术：CMOS
　　供电电压：2.7V 至 3.6V
　　访问时间：70 ns
　　封装类型：48-ball TFBGA (6x10 mm)
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：并行异步接口
　　扇区结构：11个扇区（4个4-KB小扇区 + 1个32-KB中扇区 + 6个64-KB大扇区）
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　擦除方式：扇区擦除或整片擦除
　　JEDEC标准兼容：是
　　待机电流：典型值 10 μA
　　编程电流：典型值 20 mA
　　输出驱动能力：CMOS 兼容
　　可靠性：每扇区可擦写100,000次以上，数据保持期10年以上

M28W160ECT70ZB6E具备多项先进的闪存特性，使其在嵌入式存储应用中表现出色。首先，其扇区架构设计极具灵活性，包含11个独立可擦除的扇区，其中包括4个小扇区（各4 KB），非常适合存放启动代码或配置参数，允许精细管理而不影响主程序区域；一个32 KB中等扇区和六个64 KB大扇区用于存储主应用程序或大量数据。这种分层结构支持局部更新，减少不必要的整片擦除操作，延长器件寿命并提升系统效率。其次，该器件支持硬件写保护功能，通过Vpp引脚或特定地址写入命令实现对特定扇区的锁定，防止意外修改，尤其适用于关键固件保护场景。其内置的命令用户界面（CUI）允许通过标准写操作发送命令序列，实现自动擦除、字编程、暂停/恢复擦除等功能，无需外部高压，极大简化了软件控制逻辑。
　　此外，M28W160ECT70ZB6E具备高度的环境适应性，在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定工作，满足严苛工业与车载电子应用需求。其快速70 ns的读取速度足以匹配多数中高端微处理器的总线时序，支持无缝挂接于16位或8位并行总线系统。器件还集成了内部电荷泵，能够在标准3V电源下完成编程和擦除操作，避免了传统Flash所需的额外编程电压（如12V），降低了系统复杂度和成本。为提高系统可靠性，该芯片提供嵌入式算法功能，包括自动定时擦除和编程验证，确保每一个写入操作都经过完整性校验。同时支持全局擦除暂停功能，可在长时间擦除过程中临时响应高优先级读取请求，增强了多任务处理能力。所有这些特性共同构成了一个高效、安全、易于集成的非易失性存储解决方案。

M28W160ECT70ZB6E广泛应用于多种需要可靠非易失性存储的嵌入式系统领域。在工业控制系统中，它常被用于存储PLC固件、HMI界面数据以及设备校准参数，得益于其扇区保护机制和工业级温度适应能力，能够在电磁干扰强、温差大的环境中长期稳定运行。在汽车电子领域，该芯片可用于车身控制模块（BCM）、仪表盘系统或车载信息娱乐系统的启动代码存储，顶部扇区结构特别适合存放不可更改的引导程序，防止误刷导致系统瘫痪。通信设备如路由器、交换机和基站控制器也采用此类Flash存储BIOS、配置文件和诊断程序，其快速读取性能有助于缩短设备启动时间。此外，在医疗设备中，如便携式监护仪或成像系统，M28W160ECT70ZB6E可用于保存设备固件和患者设置信息，确保断电后数据不丢失且具备高耐久性。消费类电子产品如智能家电、POS终端和安防摄像头同样受益于其小尺寸封装和低功耗特性，适合空间受限但需持久存储的应用场景。由于其并行接口的通用性，该器件也常作为FPGA或DSP的外部程序存储器，在上电时进行配置加载。总体而言，凡是需要在3V系统中实现中等容量、高可靠性、可现场升级的非易失性存储方案，M28W160ECT70ZB6E都是一个成熟且值得信赖的选择。

M28W160ECT70NBM6G
　　M28W160ECB70ZB6E
　　S29GL016D70TFIR2
　　IS28F160B3B70T