类型：NOR Flash
　　密度：16 Mbit
　　组织结构：2 M x 8
　　电源电压：2.7 V 至 3.6 V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP48
　　访问时间：70 ns
　　接口类型：并行
　　写入耐久性：100,000 次编程/擦除周期
　　数据保持时间：20 年以上
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　待机电流：10 μA 典型值
　　编程电流：20 mA 典型值
　　擦除方式：扇区擦除或整片擦除
　　扇区数量：35 个（包括多个4 KB 和 32 KB 扇区）
　　制造工艺：高性能浮栅Flash技术

M28W160CT70ZB6T具备多项先进特性，使其在嵌入式存储应用中表现出色。首先，该芯片采用扇区式架构设计，包含35个可独立擦除的扇区，其中包含多个小型4 KB扇区，特别适用于小数据更新和保护关键固件区域的应用场景。这种灵活性使得开发者可以对引导代码或配置参数进行单独修改而不影响其他数据块，显著提高了系统的维护效率和安全性。其次，该器件支持硬件写保护功能，通过特定引脚（如VPP）或命令序列实现对部分或全部存储区域的锁定，防止意外写入或恶意篡改，增强了数据完整性。
　　此外，M28W160CT70ZB6T内置嵌入式算法控制逻辑，能够在接收到标准命令后自动完成编程和擦除操作，无需外部处理器持续干预。例如，在执行“自动选择”或“产品识别”命令时，芯片可返回制造商代码和设备ID，便于系统进行自检和兼容性验证。其高速70 ns访问时间确保了在高频率系统总线下仍能稳定运行，支持全速CPU指令执行，满足实时性要求较高的应用场景。
　　该器件还具备出色的环境适应性和长期可靠性。其工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）使其适用于户外通信设备、工业自动化控制器、医疗仪器等恶劣工作环境。同时，高达10万个编程/擦除周期的耐久性以及超过20年的数据保持能力，保证了即使在频繁更新的应用中也能长期稳定工作。最后，低功耗设计是另一大亮点，待机电流低至10 μA，有助于延长电池供电系统的续航时间，适用于便携式或远程监测设备。综合来看，这些特性使M28W160CT70ZB6T成为工业、汽车及通信领域中理想的非易失性存储解决方案。

M28W160CT70ZB6T广泛应用于需要高可靠性、中等容量非易失性存储的嵌入式系统中。典型应用包括工业控制系统中的PLC（可编程逻辑控制器），用于存储用户程序、配置参数和固件映像。由于其支持XIP（就地执行）功能，该芯片常被用作微控制器或DSP的外部程序存储器，使系统可以直接从闪存中执行启动代码，减少对RAM加载的需求，提升启动速度与系统响应能力。
　　在通信设备领域，该器件可用于路由器、交换机、基站模块中，存储操作系统镜像、网络协议栈和设备校准数据。其快速随机访问能力和稳定的读写性能确保了通信链路的高效运行。此外，在汽车电子系统中，M28W160CT70ZB6T可用于仪表盘控制单元、车载信息娱乐系统或ADAS（高级驾驶辅助系统）模块，存储启动代码、传感器校准表和诊断程序，满足车规级环境下的长期稳定性需求。
　　医疗设备也大量采用此类闪存芯片，例如病人监护仪、便携式超声设备等，用于保存设备配置、操作日志和固件更新包。其高数据保持性和抗干扰能力保障了医疗数据的安全与合规性。另外，在消费类电子产品如智能家电、POS终端、打印机中，该芯片用于存储用户界面资源、字体库和系统设置，提供可靠的本地存储支持。总体而言，M28W160CT70ZB6T凭借其稳定性、耐用性和工业级性能，成为多种高端嵌入式平台的关键组件。

M28W160CB70ZB6T
　　M28W160ECB70ZB6R
　　S29GL128P_70_XXI
　　M29W160EB_70_ZB6