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CSD75208W1015 发布时间 时间:2025/5/6 20:55:19 查看 阅读:18

CSD75208W1015 是一款来自德州仪器 (TI) 的 NexFET 系列功率 MOSFET,采用先进的沟槽式技术制造。该器件专为高效率、低功耗应用设计,广泛适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及各种功率管理场景。它具有极低的导通电阻和优异的开关性能,能够显著提升系统的整体效率。
  此外,CSD75208W1015 采用了 WSON-10 封装,这种封装方式不仅节省了 PCB 面积,还具备良好的热性能,非常适合空间受限或高密度设计的应用。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:64A
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ
  栅极电荷:40nC
  输入电容:2290pF
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装形式:WSON-10

特性

CSD75208W1015 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),仅为 1.5mΩ,有助于降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 出色的开关性能,适合高频应用。
  3. WSON-10 小型封装,支持紧凑型设计同时提供优秀的散热能力。
  4. 工作温度范围宽广 (-55°C 至 150°C),适应多种严苛环境条件。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且可靠性高。
  6. 具备较高的电流承载能力 (64A),适用于大功率应用场景。

应用

该器件适用于以下典型应用:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流。
  2. DC-DC 转换器中的高端和低端开关。
  3. 电动工具、家用电器及其他便携式设备中的电机驱动。
  4. 可再生能源系统如太阳能微逆变器中的功率转换。
  5. 各类工业自动化及汽车电子应用中的功率管理模块。

替代型号

CSD75207Q5B, CSD87354Q5A

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CSD75208W1015参数

  • 现有数量18现货9,000Factory
  • 价格1 : ¥4.21000剪切带(CT)3,000 : ¥1.49100卷带(TR)
  • 系列NexFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置2 P 沟道(双)共源
  • FET 功能逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss)20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.6A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)68 毫欧 @ 1A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)2.5nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)410pF @ 10V
  • 功率 - 最大值750mW
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳6-UFBGA,DSBGA
  • 供应商器件封装6-DSBGA(1x1.5)