CSD75208W1015 是一款来自德州仪器 (TI) 的 NexFET 系列功率 MOSFET,采用先进的沟槽式技术制造。该器件专为高效率、低功耗应用设计,广泛适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及各种功率管理场景。它具有极低的导通电阻和优异的开关性能,能够显著提升系统的整体效率。
此外,CSD75208W1015 采用了 WSON-10 封装,这种封装方式不仅节省了 PCB 面积,还具备良好的热性能,非常适合空间受限或高密度设计的应用。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:64A
导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ
栅极电荷:40nC
输入电容:2290pF
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装形式:WSON-10
CSD75208W1015 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),仅为 1.5mΩ,有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 出色的开关性能,适合高频应用。
3. WSON-10 小型封装,支持紧凑型设计同时提供优秀的散热能力。
4. 工作温度范围宽广 (-55°C 至 150°C),适应多种严苛环境条件。
5. 符合 RoHS 标准,环保且可靠性高。
6. 具备较高的电流承载能力 (64A),适用于大功率应用场景。
该器件适用于以下典型应用:
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的高端和低端开关。
3. 电动工具、家用电器及其他便携式设备中的电机驱动。
4. 可再生能源系统如太阳能微逆变器中的功率转换。
5. 各类工业自动化及汽车电子应用中的功率管理模块。
CSD75207Q5B, CSD87354Q5A